【技术实现步骤摘要】
—种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法
本专利技术属于半导体集成电路制造工艺，涉及一种应用于薄硅片的工艺方法，尤其涉及。
技术介绍
随着半导体芯片对各种元器件集成度和功能越来越高的要求，传统的二维集成电路已难以满足其需求，因此一种新的技术，三维集成电路(3DIC)应运而生，其主要原理就是通过将娃片和娃片(Wafer to Wafer)或芯片和娃片(Chip to Wafer)上下层层堆叠的方式来提高芯片或各种电子元器件的集成度。在3DIC工艺中，需要对硅片进行减薄，一是为了减少封装厚度，二是通过减薄来暴露出用于链接上下两硅片的通孔(Via)金属塞。另外，近年来国内半导体分立器件的研究热点，绝缘栅双极晶体管(IGBT)，该类晶体管的集电极是在硅片的背面形成的，因此为了满足IGBT产品对结深和击穿电压的要求， 也需要对硅片背面进行减薄。根据3DIC或IGBT产品的要求不同，所需硅片减薄后的厚度也不同(10-200微米)，最低甚至只有10微米，对于这样薄如纸的硅片，由于其机械强度的降低以及翘曲度/ 弯曲度的增加，普通的半导体设备几乎难以完成支撑和传输动作，碎片率非常高。为了解决这种薄硅片的支撑和传输问题，临时键合/解离法是业界通常采用的工艺方法之一，其主要原理就是将硅片临时键合在一直径相仿的载片(玻璃、蓝宝石或硅材料)上，利用该载片来实现对薄硅片的支撑和传输，同时可以防止薄硅片变形，在完成相关工艺后再将载片从薄硅片上解离，其工艺流程如附图说明图1所示，包括如下步骤(I)在硅片的键合面或/和载片的键合面涂布粘合剂，并对其进行烘烤；(2)将所述硅片和载片进行临时键...
【技术保护点】
一种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)在硅片的键合面涂布第一粘合剂，并对其烘烤；(2)在载片的键合面涂布第二粘合剂，并对其烘烤；(3)将硅片和载片进行临时键合；(4)对硅片背面进行研磨减薄；(5)进行硅片背面工艺；(6)将减薄后的硅片和载片进行解离；(7)去除减薄后的硅片键合面上的第一粘合剂；(8)去除载片键合面上的第二粘合剂。
【技术特征摘要】
1.一种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法，其特征在于，包括步骤如下 (1)在硅片的键合面涂布第一粘合剂，并对其烘烤； (2)在载片的键合面涂布第二粘合剂，并对其烘烤； (3)将硅片和载片进行临时键合； (4)对硅片背面进行研磨减薄； (5)进行硅片背面工艺； (6)将减薄后的硅片和载片进行解离； (7)去除减薄后的硅片键合面上的第一粘合剂； (8)去除载片键合面上的第二粘合剂。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(I)中，所述的第一粘合剂是溶剂溶解型粘合剂。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(I)中，所述的涂布采用旋涂方式或喷淋方式；所述的第一粘合剂在烘烤后的厚度为5-100微米，所述的第一粘合剂在烘烤后能完全覆盖硅片键合面图形的台阶高度。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在步骤(I)中，所述的涂布采用旋涂方式；所述的第一粘合剂在烘烤后的厚度为25微米。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的载片材料是玻璃或蓝宝石中的任一种，所述的载片直径比硅片直径大(Γ2毫米，所述载片的厚度为200-2000微米。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述载片采用玻璃圆片，所述载片的直径为201毫米，所述载片的厚度为500微米。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的第二粘合剂是激光照射分解型粘合剂。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的涂布采用旋涂方式或喷淋方式；所述的第二粘合剂在烘烤后的厚度为O. 1-5微米。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的涂布采用旋涂方式；所述的第二粘合剂在烘烤后的厚度为I微米。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的临时键合过程在一真空度为O. 001-0.1毫帕的密闭腔体中完成，且需将硅片和载片加热至80-250°C，并在硅片或载片的一侧施加100-5000牛顿的压力，键合时间为1-20分钟。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述真空度为O....
【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓波，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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