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本发明公开了一种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法，包括步骤如下：1)在硅片的键合面涂布第一粘合剂，并对其烘烤；2)在载片的键合面涂布第二粘合剂，并对其烘烤；3)将硅片和载片进行临时键合；4)对硅片背面进行研磨减薄；5)进行硅片背面工艺；...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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