制作具有局部互连金属电极的MIM 电容器的方法及相关结构技术

本申请涉及制作具有局部互连金属电极的MIM电容器的方法及相关结构。根据例示性实施方式提供了一种在半导体芯片中制作金属-绝缘体-金属（MIM）电容器的方法，包括：在位于半导体芯片的第一金属化层下的器件层上形成底部电容器电极，在底部电容器电极上形成的层间阻挡电介质上形成顶部电容器电极。顶部电容器电极由用于连接形成在器件层中的器件的局部互连金属形成。该方法还包括在第一金属化层中、所述顶部电容器电极上形成金属板，并将所述金属板连接至所述底部电容器电极以提供增高的电容密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及半导体领域。更具体地，本专利技术涉及半导体芯片中电容器的制作领域。
技术介绍
金属-绝缘体-金属(MM)电容器已被广泛用于半导体芯片上集成模拟和复合信号电路的制作。MIM电容器通常包括位于形成MIM电容器的电极的底部和顶部金属板之间的MM电容器电介质。通常在后段制程(BEOL)处理期间在半导体芯片上制作MM电容器。例如，可通过使用用于底部和顶部MIM电容器电极的专用金属层制作传统的MIM电容器，并且通常利用专用电介质层作为顶部和底部电极之间的MM电容器电介质。在传统方法中，在BEOL处理期间，在半导体芯片的金属化层之间可用的未使用空间中另外制作MIM电容器。然而，在BEOL处理期间使用形成MM电容器电介质和底部和顶部MM电容器电极所需的专用电介质和金属层会需要多个处理步骤，以及需要在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流程中通常使用的那些掩模之外的掩模，这会不良地提高制作成本。此外，虽然本质上期望制作具有高电容密度的M頂电容器，但是将该MM电容器放置在其中形成有源器件的器件层之上的金属化层之间会对器件性能产生不利影响，例如影响CMOS逻辑器件的速度。因而，需要通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在半导体芯片中制作金属?绝缘体?金属（MIM）电容器的方法，所述方法包括：在位于所述半导体芯片的第一金属化层下的器件层之上形成底部电容器电极；在所述底部电容器电极之上形成的层间阻挡电介质之上形成顶部电容器电极；所述顶部电容器电极由用于连接形成在所述器件层中的器件的局部互连金属形成。

【技术特征摘要】
2011.09.29 US 13/248,8231.一种在半导体芯片中制作金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的方法，所述方法包括 在位于所述半导体芯片的第一金属化层下的器件层之上形成底部电容器电极； 在所述底部电容器电极之上形成的层间阻挡电介质之上形成顶部电容器电极； 所述顶部电容器电极由用于连接形成在所述器件层中的器件的局部互连金属形成。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述底部电容器电极由形成在所述器件层之上的栅极金属层形成。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述局部互连金属被用于连接形成在所述器件层中的所述器件的源极/漏极接触。4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述底部电容器电极包括在形成于所述器件层中的隔离区之上形成所述底部电容器电极。5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一金属化层中、所述顶部电容器电极之上形成金属板，所述金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈向东，陈国顺，夏维，沈志杰，
申请(专利权)人：美国博通公司，
类型：发明
国别省市：