一种紧凑型智能功率驱动模块制造技术

本实用新型专利技术提供一种紧凑型智能功率驱动模块，包括：框架；多组驱动信号引线模块，形成在框架的一内侧；多个载片台，形成在框架的另一内侧，与多组驱动信号引线模块相对设置；多组功能信号引线模块，分别由相邻的两个载片台为一组弯曲后形成在框架上；绝缘层，设置在每组驱动信号引线模块上；高压控制芯片，设置在每个绝缘层上，每个高压控制芯片分别相应地靠近一组载片台；MOSFET管，设置在每个载片台上；以及金属线，将高压控制芯片、MOSFET管与框架电连接，通过框架结构及芯片安装方法的设计，实现多个高压控制芯片在不同功率场合实现封装需求，以形成可以在更广泛的电流、电压及紧凑场合领域得到应用的单相智能功率驱动模块和三相智能功率驱动模块。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于封装
，尤其涉及一种紧凑型智能功率驱动模块。
技术介绍
为了提高能源效率，促进节能减排，在消费电子和一般エ业应用的电机中推广高效电机意义非常重大。高效电机的驱动电路的核心主要是智能功率驱动模块，而在智能功率驱动模块的封装结构研发过程中，设计人员需要面临如何实施稳健设计、优化工艺流程、提高良率、降低成本、扩大产能等很多实际问题。解决这些问题的首要突破口是智能功率驱动模块的结构设计本身，其中模块结构和互连方式设计对产品开发人员的想象力提出极大地挑战，而器件应用、可靠性及市场等因素又极大地制约了开发人员创造性的发挥。如图1所示的现有的功率驱动模块框架结构中，包含高压控制芯片(HVIC) 10、MOSFET芯片20、自举ニ极管30，每个高压控制芯片10和一个自举ニ极管30共享ー个载片台，共6个载片台(图中未示)。在一定的封装尺寸内，一旦所述载片台大小被设定，所述高压控制芯片10和MOSFET芯片20的尺寸均会受到载片台大小的制约，不能实现更大功率驱动的封装要求。如果要实现功率驱动模块更大功率的输出要求，则所述高压控制芯片10和MOSFET芯片20的尺寸及载片台尺寸会随着增加。在布线密度及引线间距都达到エ艺极限的情况下，这样必须增加封装体体积。从而不能适应紧凑安装的场合。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种紧凑型智能功率驱动模块，使基于一定的封装尺寸内，通过框架结构及芯片安装方法的设计，实现多个高压控制芯片在不同功率场合实现封装需求，以形成可以在更广泛的电流、电压及紧凑场合领域得到应用的単相智能功率驱动模块和三相智能功率驱动模块。为了解决上述问题，本技术提供一种紧凑型智能功率驱动模块，包括 框架；多组驱动信号引线模块，形成在所述框架的ー内侧；多个载片台，形成在所述框架的另ー内侧，与所述多组驱动信号引线模块相对设置；多组功能信号引线模块，分别由相邻的两个所述载片台为ー组弯曲后形成在所述框架上；绝缘层，设置在每组驱动信号引线模块上；高压控制芯片，设置在每个所述绝缘层上，每个所述高压控制芯片分别相应地靠近一组所述载片台；MOSFET管，设置在每个所述载片台上；以及金属线，将所述高压控制芯片、MOSFET管与框架电连接。优选的，每组所述驱动信号引线模块具有的引线脚的数目为五至八个。优选的，至少在每组所述驱动信号弓I线模块中的两个弓I线脚上设有绝缘层。优选的，所述紧凑型智能功率驱动模块中，包括设置在每组所述驱动信号引线模块中的每个引线脚上的一加强孔。进ー步的，所述紧凑型智能功率驱动模块中，包括每组所述驱动信号引线模块中的一个引线脚的宽度比每组所述驱动信号引线模块中的其余的引线脚的宽度要宽。进ー步的，所述紧凑型智能功率驱动模块中，包括设置在每组所述驱动信号引线模块中宽度较宽的引线脚上的ー自举ニ极管。优选的，所述绝缘层采用的材料为环氧树脂薄膜。优选的，所述金属线采用的材料为金或铜线。进ー步的，每个所述高压控制芯片分别驱动与其邻近的两个所述MOSFET管。进ー步的，所述紧凑型智能功率驱动模块为单相智能功率驱动模块和三相智能功率驱动模块。由上述技术方案可见，本技术公开的紧凑型智能功率驱动模块具有以下优势1.所述紧凑型智能功率驱动模块包括ー框架，并在所述框架上设有多组驱动信号引线模块和多组功能信号引线模块，并且每个高压控制芯片分别通过绝缘层粘合和隔离在每组所述驱动信号弓I线模块上，而不是安装在专门的载片台，因此省却了安装每个所述高压控制芯片的载片台，而使封装体积减小，因此，可以实现内置电机安装。2.所述紧凑型 智能功率驱动模块可以根据功率输出要求，通过调整每个所述绝缘层的大小而相应地调节每个所述高压控制芯片的大小，并且根据每个所述绝缘层大小，在每组所述驱动信号引线模块中选择一定数目的引线脚与相应的每个所述绝缘层固定连接。因此，本技术可以适用不同芯片尺寸、芯片功率及功能可以多元化。3.在每组所述驱动信号引线模块的每个引脚上均设有加强孔，可以增强所述框架与塑封料的结合力。4.在每组所述驱动信号引线模块中宽度设置的较宽的一引线脚上可以设置ー自举ニ极管，由于所述自举ニ极管与所述高压控制芯片集成在同一框架上，因此，各芯片之间的可靠性提高，也降低了额外的贴装成本。同时，所述框架在空余之处，还可以安装具有一定灵活性的周边元件，例如増加阻容元件，以实现自动温度控制等。可见，本技术基于一定的封装尺寸内，通过框架结构及芯片安装方法的设计，实现多个高压控制芯片在不同功率场合实现封装需求，以形成可以在更广泛的电流、电压及紧凑场合领域得到应用的単相智能功率驱动模块和三相智能功率驱动模块。附图说明图1为现有技术中框架结构示意图；图2为本技术实施例中的紧凑型智能功率驱动模块的封装方法的流程图；图3为本技术实施例中的紧凑型智能功率驱动模块中框架结构示意图；图4为本技术实施例中的紧凑型智能功率驱动模块中高压控制芯片与引线脚连接的侧视示意图；图5为本技术实施例中的紧凑型智能功率驱动模块中安装芯片后的框架示意图；图6为本技术实施例中的紧凑型智能功率驱动模块中芯片与框架键合后具有自举ニ极管的结构示意图；图7为本技术实施例中的紧凑型智能功率驱动模块中芯片与框架键合后具有自举ニ极管和阻容元件的结构示意图；图8为本技术实施例中的紧凑型智能功率驱动模块中芯片与框架键合后不具有自举ニ极管的结构示意图；图9为本技术实施例ニ的紧凑型智能功率驱动模块中芯片与框架键合后的结构示意图。其中，附图标记说明如下100框架；110驱动信号引线模块；120载片台；130功能信号引线模块；140加强孔；210高压控制芯片；220M0SFET管；230自举ニ极管；R阻容元件；300绝缘材料；310电连接。具体实施方式为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，以下结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施的限制。以图2所示的流程图为例，结合图3至图6，对本技术提供的一种紧凑型智能功率驱动模块的封装方法进行详细描述。所述封装方法包括S1:參见图3，提供ー框架100。S2 :參见图3、图6至图8，在所述框架100的一内侧设有多组驱动信号引线模块110。在每组所述驱动信号引线模块110中可以设置的引线脚的数目为五至八个。在本实施例中，參见图6，如每组所述驱动信号引线模块110设置的引线脚的数目为六个，分别为第一引线脚(111)、第二引线脚(112)、第三引线脚(113)、第四引线脚(114)、第五引线脚(115)和第六引线脚(116);參见图7，如每组所述驱动信号引线模块110设置的引线脚的数目为七个，分别为第一引线脚(111)、第二引线脚(112)、第三引线脚(113)、第四引线脚(114)、第五引线脚(115)、第六引线脚(116)和第七引线脚(117);參见图8，如每组所述驱动信号引线模块110设置的引线脚的数目为五个，则分别为第一引线脚(111)、第二引线脚(112)、第三引线脚(1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紧凑型智能功率驱动模块，包括：框架；多组驱动信号引线模块，形成在所述框架的一内侧；多个载片台，形成在所述框架的另一内侧，与所述多组驱动信号引线模块相对设置；多组功能信号引线模块，分别由相邻的两个所述载片台为一组弯曲后形成在所述框架上；绝缘层，设置在每组驱动信号引线模块上；高压控制芯片，设置在每个所述绝缘层上，每个所述高压控制芯片分别相应地靠近一组所述载片台；MOSFET管，设置在每个所述载片台上；以及金属线，将所述高压控制芯片、MOSFET管与框架电连接。

【技术特征摘要】
1.一种紧凑型智能功率驱动模块，包括 框架； 多组驱动信号引线模块，形成在所述框架的一内侧； 多个载片台，形成在所述框架的另一内侧，与所述多组驱动信号引线模块相对设置； 多组功能信号引线模块，分别由相邻的两个所述载片台为一组弯曲后形成在所述框架上; 绝缘层，设置在每组驱动信号引线模块上； 高压控制芯片，设置在每个所述绝缘层上，每个所述高压控制芯片分别相应地靠近一组所述载片台； MOSFET管，设置在每个所述载片台上；以及 金属线，将所述高压控制芯片、MOSFET管与框架电连接。2.如权利要求1所述的紧凑型智能功率驱动模块，其特征在于，每组所述驱动信号引线模块具有的引线脚的数目为五至八个。3.如权利要求2所述的紧凑型智能功率驱动模块，其特征在于，至少在每组所述驱动信号弓I线模块中的两个弓I线脚上设有绝缘层。4.如权利要求2所述的紧凑型智能功率驱动模块，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁立国，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：实用新型
国别省市：