【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及IGBT (绝缘栅双极型晶体管)器件领域,具体地说,是一种IGBT模块用底板结构。
技术介绍
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是国际上公认的电力电子技术第二次革命的最具代表性的产品,是目前电力电子
中最具有优势的功率器件之一。IGBT是一种具有MOS输入、双极输出功能的M0S、双极相结合的器件。IGBT广泛应用于电机节能、冶金、新能源、输变电、汽车电子、轨道交通、家用电器等国民经济各领域,是中国建设资源节约型和环境友好型社会不可缺少的关键技术之一。IGBT在上世纪80年代初研制成功,其性能经过二十几年的不断提高和改进,己成熟地应用于中高频大功率领域。它将MOSFET的电压控 制、控制功率小、易于并联、开关速度高的特点和双极晶体管的电流密度大、电流处理能力强、饱和压降低的特点集中于一身,表现出易驱动、低导通压降、较快开关速度、高耐压、大电流、高频率等优越的综合性能。IGBT器件目前的电压范围己经扩到600至6500伏,电流范围己经扩到几千安培,频率范围己经扩到几十千赫。IGBT芯片根据电流应用范围采用混合封装技术为基础的多芯片功率模块或传统的分立 ...
【技术保护点】
一种IGBT模块用底板,该底板包括用于焊接DBC基片的正面,以及相对于该正面的背面,其特征在于:所述正面为平面结构,所述背面为弧面凸起结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:于凯,
申请(专利权)人:西安永电电气有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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