封装基板的构造制造技术

本实用新型专利技术公开一种封装基板的构造，所述封装基板包含：一电路层，所述电路层上具有至少一连接垫；至少一导电柱，形成在所述连接垫上，所述导电柱具有一第一表面、一第二表面及一侧壁连接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积，所述第二表面结合于所述连接垫；以及一介电层，覆盖于所述电路层上，并包覆所述导电柱。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种封装基板的构造，特别是有关于一种可增加层间导通孔结合可靠度的的封装基板的构造。
技术介绍
现今，半导体封装产业为了满足各种高密度及微型化的封装需求，以供更多有源、无源元件及电路载接，半导体封装亦逐渐由双层电路发展出多层电路板(mult1-layercircuit board),在有限空间下利用层间连接技术(Interlayer connection)以扩大半导体封装基板(substrate)上可供运用的电路布局面积，以达到高电路密度的积体电路需要，降低封装基板的厚度，以在相同基板单位面积下容纳更大量的电路及电子元件。一般多层电路电路封装基板主要由多个电路层(circuit layer)及多个介电层(dielectric layer)交替迭合所构成。通常电路层是由铜箔层搭配图案化光刻胶及蚀刻的工艺所制成，一般具有至少一电路及至少一连接垫；而介电层形成于电路层之间，用以保护并隔开各个电路层；且一般各电路层是利用激光钻孔在介电层上形成激光烧灼孔，之后再用金属材料将孔填起形成导通孔(via)结构。但由于激光照射加热的特性，所形成的激光烧灼孔径通常是一上宽下窄的倒锥状孔，造成导通孔与连接垫所接触结合的面积较小。此种结合面积较小的导通孔对于高电流的应用，可能会造成高电阻的限制，因而影响电磁信号传递性能，甚至影响导体的可靠性和产品寿命。再者，另一种形成层间导通的方式则是以图案化光刻胶搭配电镀的方式，在图案化光刻胶裸露的电路层上电镀形成铜柱(copper pillar)，接着再移除图案化光刻胶及压合介电层，所述铜柱可以是圆柱形或可为其他形状的柱状体。此种铜柱通常是有等宽的孔径，虽较激光钻孔技术所形成的接触面积相对较大些，但为了更进一步降低与连接垫之间的结合接触面的电阻，并提高电磁信号的性能，故仍有必要提供一种封装基板的构造，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种封装基板的构造，以解决现有技术所存在的电路基板接触结合面可靠度的问题。本技术的主要目的在于提供一种封装基板的构造，其可以通过可调控激光照射搭配图案化光刻胶层的工艺，实现封装基板层间结合接触面积的扩增，进而降低与电路层之间的结合接触面的电阻，以提高电磁信号的性能。为达成本技术的前述目的， 本技术一实施例提供一种封装基板的构造，其中所述封装基板的构造包含一电路层、至少一导电柱及一介电层。所述电路层具有至少一连接垫。所述导电柱形成于所述连接垫上，所述导电柱具有一第一表面、一第二表面及一侧壁连接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积，所述第二表面结合于所述连接垫。所述介电层覆盖于所述电路层上，并包覆所述导电柱。与现有技术相比较，本技术的封装基板的构造，这样不但可使电路层及导电柱之间的电性连接结构更可靠，还可以确保芯片的信号传输效果。附图说明图1是本技术一实施例封装基板的剖面示意图。图1A是本技术另一实施例封装基板的导电柱的局部放大剖面示意图。图1B是本技术又一实施例封装基板的导电柱的局部放大剖面示意图。图2是本技术再一实施例封装基板的剖面示意图。图3A-3H是以剖面示意图的方式表示本技术一实施例制造方法的步骤。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本技术可用以实施的特定实施例。再者，本技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「顶」、「底」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」、「周围」、「中央」、「水平」、「横向」、「垂直」、「纵向」、「轴向」、「径向」、「最上层」或「最下层」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本技术 ，而非用以限制本技术。请参照图1所示，本技术一实施例的封装基板I主要包含一电路层11’、至少一连接垫111’，至少一导电柱12及一介电层13。所述电路层11’具有至少一连接垫111’。所述导电柱12形成于所述连接垫111’上，具有一第一表面121、一第二表面122及一侧壁123连接所述第一表面121和所述第二表面122，所述第二表面122的面积大于所述第一表面121的面积，所述第二表面122结合于所述连接垫111’。所述介电层13覆盖于所述电路层11’上，并包覆所述导电柱12，并且所述导电柱12的具有一圆形或者多边形的横截面，其中多边形可能是三角形，四边形或者其他形状。在本实施例中，所述电路层11’是以铜箔层搭配图案化光刻胶及蚀刻的工艺形成至少一图案电路及至少一连接垫111’于一承载板或工作台上，并与所述导电柱12电性连接。所述电路层11’的材质例如为铜、镍、金、银或铝等，但并不限于此。所述电路层11’在此可做为一外电路层使用，并可选择再涂布一层阻焊层(未绘示)，仅由所述阻焊层裸露一部份所述电路层11’，以做为焊垫用途。请再参照图1所示，一并参照图1A及1B，在本实施例中，所述导电柱12是预先以图案化光刻胶搭配电镀的工艺形成的，接着才被包埋在所述介电层13内。并且所述导电柱12具有一第一表面121、一第二表面122及一侧壁123连接所述第一表面121和所述第二表面122，并且所述第二表面122的面积大于所述第一表面121的面积，使所述导电柱12呈现一端大另一端小的柱体，例如，如图1A所示，所述导电柱12的形状为一段约为一等横截面积直柱状体部分与一段具有内凹弧面的柱状体部分的结合，也就是所述侧壁123具有一内凹弧面结构，所述内凹弧面结构的高度优选小于或等于所述导电柱12的高度的一半，如所述内凹弧面结构的高度等于所述导电柱12的高度的1/3，1/4或者更少；如图1B所示，所述导电柱12的形状亦可为一段约为一等横截面积的直柱状体部分与一段具有平直倾斜面的柱状体部分的结合，也就是所述侧壁123具有一平直倾斜面结构，所述平直倾斜面的高度优选小于或等于所述导电柱12的高度的一半，如所述平直倾斜面的高度等于所述导电柱12的高度的1/3，1/4或者更少。另外，所述导电柱12还可以是所述侧壁123从所述第一表面121开始逐渐外扩至所述第二表面122，即具有一内凹弧面连续增大的内凹弧面结构，即所述内凹弧面结构的高度等于所述导电柱12的高度。所述第二表面122结合于所述连接垫111’，且所述第二表面的面积小于所述连接垫的上表面的面积(所述连接垫的上表面是指与所述第二表面122结合的表面)，所述第一表面121则相对远离所述连接垫111’。这些特殊形状的导电柱12可通过一可调控的激光照射光刻胶层及电镀等工艺加以实现。再者，所述介电层13内的导电柱12的材质例如为铜、镍、金、银或铝等，但并不限于此。所述第二表面122的面积小于所述连接垫111’的面积。所述侧壁123可具有一内凹弧面结构(如图1所示)，所述内凹弧面结构的高度优选小于或等于所述导电柱12的高度的一半。所述导电柱12的高度大于40微米，但并不限于此。当所述导电柱12的横截面积是圆形时，所述导电柱12的第一表面121的直径大于50微米。所述导电柱12的第二表面122的直径与所述第一表面121的直径相差大于30微米，如所述导电柱12的第二表面122的直径比所述第一表面121的直径大50微米或100微米。所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装基板的构造，其特征在于：所述封装基板的构造包含：一电路层，所述电路层具有至少一连接垫；至少一导电柱，形成在所述连接垫上，所述导电柱具有一第一表面、一第二表面及一侧壁连接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积，所述第二表面结合于所述连接垫；以及一介电层，覆盖于所述电路层上，并包覆所述导电柱。

【技术特征摘要】
1.一种封装基板的构造，其特征在于所述封装基板的构造包含 一电路层，所述电路层具有至少一连接垫； 至少一导电柱，形成在所述连接垫上，所述导电柱具有一第一表面、一第二表面及一侧壁连接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积，所述第二表面结合于所述连接垫；以及 一介电层，覆盖于所述电路层上，并包覆所述导电柱。2.如权利要求1所述的封装基板的构造，其特征在于所述导电柱的材料为铜。3.如权利要求1所述的封装基板的构造，其特征在于所述第二表面的面积小于所述连接垫的一上表面的面积。4.如权利要求1所述的封装基板的构造，其特征在于所述侧壁具...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆松涛，黄建华，王德峻，罗光淋，方仁广，
申请(专利权)人：日月光半导体上海股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：