一种芯片的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片的制造方法，所述芯片包括基板，其特征在于：在所述基板下端设置有散热层，所述散热层与所述基板一体成型，所述散热层与所述基板通过数个连接块相连，在所述基板上设置有数个金属层，在最上层所述金属层上设置有钝化层，所述芯片的加工步骤包括处理晶圆，基板上表面进行氧化、金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除，涂钝化层、检测、封装。本发明专利技术设计合理，步骤简单，生产出的芯片散热效果好，使用寿命长。

Method for manufacturing chip

The invention discloses a method for manufacturing the chip, the chip comprises a substrate, characterized in that the heat radiating layer is arranged on the lower end of the substrate, forming one of the heat dissipating layer and the substrate, the heat dissipating layer and the substrate through a plurality of connecting blocks connected to a plurality of metal layers arranged in on the substrate, a passivation layer is arranged on the top of the metal layer, the processing steps of the chip comprises a substrate wafer processing, surface oxidation, metal sputtering, coating photoresist etching and photoresist coating removal, passivation layer, testing, packaging. The invention has the advantages of reasonable design, simple steps, good heat dissipation effect and long service life.

【技术实现步骤摘要】
一种芯片的制造方法
本专利技术涉及芯片制造技术，具体的说是一种芯片的制造方法。
技术介绍
现有技术中的芯片散热效果比较差，温度过高会对电子元件造成损坏，往往因为电子元件损坏而使电子器件经常需要维修，现有的芯片生产工艺很难使生产出的芯片具有很好的散热效果。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种能够生产出散热效果好的芯片的制造方法。为了达到上述目的，本专利技术是通过以下技术方案来实现的：本专利技术是一种芯片的制造方法，芯片包括基板，在基板下端设置有散热层，散热层与基板一体成型，散热层与基板通过数个连接块相连，在基板上设置有数个金属层，在最上层金属层上设置有钝化层，芯片的加工步骤如下；1选择晶圆板，对晶圆板进行清洗和干燥；2对干燥后的晶圆板进行固定，通过激光切割装置进行切割，使晶圆板分为散热层和基板，散热层与基板之间形成数个连接块；3将步骤2所得的晶圆板浸入纳米散热涂料中静置10-30s，取出烘干；4将步骤3中所得的晶圆板的基板上表面喷洒丙酮1-2min放入水中清洗，进行干燥；5对基板上表面进行氧化，并进行数次金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除，使基板上表面形成至少3层金属层，最上层金属层不做涂布光阻、蚀刻和光阻去除工艺；6在最上层金属层上涂钝化层；7进行检测，检测合格后封装。1、本专利技术的进一步改进在于：步骤4中干燥的温度为180℃，干燥时间为4-5min。本专利技术的进一步改进在于：最上层金属层与最下层金属层比其他金属层厚。本专利技术的有益效果是：本专利技术在芯片上涂有纳米散热涂料使芯片产生的热量快速散去，散热层于基板之间通过连接块连接使芯片整体与空气接触面积增大，增强散热效果。本专利技术设计合理，步骤简单，生产出的芯片散热效果好，使用寿命长。附图说明图1是本专利技术结构示意图。其中：1-散热板，2-基板，3-连接块，4-层金属层，5-钝化层。具体实施方式为了加强对本专利技术的理解，下面将结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细描述，该实施例仅用于解释本专利技术，并不对本专利技术的保护范围构成限定。如图1所示，本专利技术是一种芯片的制造方法，芯片包括基板1，在基板1下端设置有散热层2，散热层2与基板1一体成型，散热层2与基板1通过数个连接块3相连，在基板1上设置有数个金属层4，在最上层金属层4上设置有钝化层5，芯片的加工步骤如下；1选择晶圆板，对晶圆板进行清洗和干燥；2对干燥后的晶圆板进行固定，通过激光切割装置进行切割，使晶圆板分为散热层和基板，散热层与基板之间形成数个连接块；3将步骤2所得的晶圆板浸入纳米散热涂料中静置10-30s，取出烘干；4将步骤3中所得的晶圆板的基板上表面喷洒丙酮1-2min放入水中清洗，进行干燥；5对基板上表面进行氧化，并进行数次金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除，使基板上表面形成至少3层金属层，最上层金属层不做涂布光阻、蚀刻和光阻去除工艺；6在最上层金属层上涂钝化层；7进行检测，检测合格后封装；步骤4中干燥的温度为180℃，干燥时间为4-5min，最上层金属层4与最下层金属层4比其他金属层4厚。本专利技术设计合理，步骤简单，生产出的芯片散热效果好，使用寿命长。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片的制造方法，所述芯片包括基板（1），其特征在于：在所述基板（1）下端设置有散热层（2），所述散热层（2）与所述基板（1）一体成型，所述散热层（2）与所述基板（1）通过数个连接块（3）相连，在所述基板（1）上设置有数个金属层（4），在最上层所述金属层（4）上设置有钝化层（5），所述芯片的加工步骤如下；（1）选择晶圆板，对晶圆板进行清洗和干燥；（2）对干燥后的晶圆板进行固定，通过激光切割装置进行切割，使晶圆板分为散热层和基板，散热层与基板之间形成数个连接块；（3）将步骤2所得的晶圆板浸入纳米散热涂料中静置10‑30s，取出烘干；（4）将步骤3中所得的晶圆板的基板上表面喷洒丙酮1‑2min放入水中清洗，进行干燥；（5）对基板上表面进行氧化，并进行数次金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除，使基板上表面形成至少3层金属层，最上层金属层不做涂布光阻、蚀刻和光阻去除工艺；（6）在最上层金属层上涂钝化层；（7）进行检测，检测合格后封装。

【技术特征摘要】
1.一种芯片的制造方法，所述芯片包括基板（1），其特征在于：在所述基板（1）下端设置有散热层（2），所述散热层（2）与所述基板（1）一体成型，所述散热层（2）与所述基板（1）通过数个连接块（3）相连，在所述基板（1）上设置有数个金属层（4），在最上层所述金属层（4）上设置有钝化层（5），所述芯片的加工步骤如下；（1）选择晶圆板，对晶圆板进行清洗和干燥；（2）对干燥后的晶圆板进行固定，通过激光切割装置进行切割，使晶圆板分为散热层和基板，散热层与基板之间形成数个连接块；（3）将步骤2所得的晶圆板浸入纳米散热涂料中静置10-30s，取出烘...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明，
申请(专利权)人：南通明芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32