一种半导体晶圆清洗方法技术

本发明专利技术涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种半导体晶圆清洗方法，包括以下步骤：S1、采用带O2的等离子体轰击晶圆表面；S2、在完成步骤S1后的第一规定时间内采用NMP清洗晶圆表面，之后采用IPA溶液去除晶圆上残留的NMP，最后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S3、在完成步骤S2后的第二规定时间内采用稀释氨水清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S4、在完成步骤S3后的第三规定时间内采用DHF溶液清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；在完成步骤S4后的第四规定时间内利用带O2的等离子体轰击晶圆表面，在20min以内使用该晶圆进行后续工艺。本发明专利技术操作安全，成本低。

Semiconductor wafer cleaning method

The invention relates to the technical field of semiconductor manufacturing, particularly relates to a semiconductor wafer cleaning method, which comprises the following steps: S1, with O2 by plasma bombardment of wafer surface; using NMP to clean the wafer surface in S2, S1 after the first step completed within the stipulated time, after the removal of the residual NMP wafer produced by IPA solution, the deionized water to clean the surface of the wafer, the wafer dry or dry spinning for use; at S3, S2 after the second steps completed within the stipulated time by diluted ammonia to clean the surface of the wafer, after using deionized water to clean the surface of the wafer, the wafer dry or dry spinning for use; S4, using DHF solution to clean the wafer surface in the completion step after S3 third time, after using deionized water to clean the surface of the wafer, the wafer dry or dry spinning for use; in the completion step after S4 fourth time with O2 The plasma bombardment of the wafer surface, within 20min, using the wafer for subsequent process. The invention has the advantages of safe operation and low cost.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆清洗方法
本专利技术属于半导体制作
，具体涉及一种半导体晶圆清洗方法。
技术介绍
二十一世纪，社会迈入了超高速发展的信息时代，全球数据业务呈现几何倍数的爆炸式增长，对网络带宽和速度的需求飞速增长，导致半导体芯片集成度越来越高、功能越来越多、线宽越来越小。因此，在半导体芯片的制作过程中，清洁、干净的晶圆表面对半导体器件制作越来越重要。例如：前道工艺的表面生成物、particle、有机沾污等污染物，将导致器件在湿法工艺时出现表面起伏，严重时将影响器件击穿等特性；前道工艺的光胶，在去除过程中，在底部会留有肉眼很难发现的残胶，从而影响后续如金属沉积、湿法刻蚀等工艺的进行以及可靠性。传统的Si晶圆清洗方式一般流程为：强酸+强氧化剂：如浓硫酸+双氧水，去除表面有机物；氨水+双氧水：去除表面金属离子微尘；稀释氢氟酸：去除表面氧化物；由于第一道工艺采用的强酸+强氧化剂，操作危险性较高，一般采用专门的自动机台，造价较高，不利于实验使用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种安全性高、成本低的半导体晶圆清洗方法。为达到上述要求，本专利技术采取的技术方案是：提供一种半导体晶圆清洗方法，包括以下步骤：S1、采用带O2的等离子体轰击晶圆表面；S2、在完成步骤S1后的第一规定时间内采用NMP清洗晶圆表面，之后采用IPA溶液去除晶圆上残留的NMP，最后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S3、在完成步骤S2后的第二规定时间内采用稀释氨水清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S4、在完成步骤S3后的第三规定时间内采用DHF溶液清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S5、在完成步骤S4后的第四规定时间内利用带O2的等离子体轰击晶圆表面，在20min以内使用该晶圆进行后续工艺。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：第一步采用带O2的等离子体轰击晶圆表面，去除晶圆表面前道工艺的残留物质，再采用NMP清除晶圆表面有机物，IPA溶液冲洗清除NMP残留，去离子水去除IPA残留，再采用稀释氨水去除晶圆表面吸附的颗粒颗粒，最后利用DHF溶液去除晶圆表面氧化物，从而得到干净的Si晶圆；操作安全性高，成本低。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1为本专利技术的流程图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本申请作进一步地详细说明。为简单起见，以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。如图1所示，本实施例提供一种半导体晶圆清洗方法，包括以下步骤：S1、采用带O2的等离子体轰击晶圆表面，带O2的等离子体通过Descum或Asher设备产生；S2、在完成步骤S1后的20min内采用NMP清洗晶圆表面，清洗时的室温为100℃，清洗时间为2min；之后采用IPA溶液去除晶圆上残留的NMP，清洗时间2min；最后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S3、在完成步骤S2后的20min内采用稀释氨水清洗晶圆表面，稀释氨水的浓度为5％，清洗时间为5min；之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S4、在完成步骤S3后的20min内采用DHF溶液清洗晶圆表面，DHF溶液为氢氟酸、双氧水及去离子水混合液体，氢氟酸的体积浓度≥10％，双氧水的体积浓度≥10％，清洗时间为3min；之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S5、在步骤S4工艺之后，晶圆表面氧化层部分除去，在完成步骤S4后的20min内利用O2等离子体再次进行轰击，有助于进一步提高晶圆表面金属附着力，并且在轰击完毕后的20min以内使用该晶圆进行后续工艺，具有更好的效果。以上实施例仅表示本专利技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能理解为对本专利技术范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术保护范围。因此本专利技术的保护范围应该以权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶圆清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用带O2的等离子体轰击晶圆表面；S2、在完成步骤S1后的第一规定时间内采用NMP清洗晶圆表面，之后采用IPA溶液去除晶圆上残留的NMP，最后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S3、在完成步骤S2后的第二规定时间内采用稀释氨水清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S4、在完成步骤S3后的第三规定时间内采用DHF溶液清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S5、在完成步骤S4后的第四规定时间内利用带O2的等离子体轰击晶圆表面，在20min以内使用该晶圆进行后续工艺。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用带O2的等离子体轰击晶圆表面；S2、在完成步骤S1后的第一规定时间内采用NMP清洗晶圆表面，之后采用IPA溶液去除晶圆上残留的NMP，最后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S3、在完成步骤S2后的第二规定时间内采用稀释氨水清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S4、在完成步骤S3后的第三规定时间内采用DHF溶液清洗晶圆表面，之后采用去离子水清洗晶圆表面，晶圆吹干或旋干待用；S5、在完成步骤S4后的第四规定时间内利用带O2的等离子体轰击晶圆表面，在20min以内使用该晶圆进行后续工艺。2.根据权利要求1所述的半导体晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S2中的第一规定时间为20min。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤S2中采用NMP清洗时的室温为100℃，清洗时间为0.5～3min。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈一峰，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51