半导体加工站和加工半导体晶圆的方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体加工站。该半导体加工站包括第一平台、第二平台和真空通道，其中，第一平台具有第一加载锁和多个第一室，第二平台具有第二加载锁和多个第二室，真空通道连接第一和第二加载锁。本发明专利技术还提供了加工半导体晶圆的方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体制造，更具体地，涉及。
技术介绍
随着半导体制造工艺复杂性增加，在多个不同的加工模块或工具之间转移晶圆变得越来越必要，并且这些工具通常被显著的距离分隔开，当晶圆在分离的真空工具之间转移时，会导致晶圆的颗粒污染的风险增加。因此，通常根据厂商来开发或集成现场工具以满足半导体制造加工需求，但是通过这种方式，会引起IP泄露并且厂商选择的灵活性差。另一方面，因为平台的加工室的晶圆每小时产出量(WPH)不平衡，所以平台的生产率非常低。具有高WPH的一些加工室需要等待具有低WPH的那些加工室，这会降低加工室的利用。为解决这个问题，提出了一些传统方法，诸如线性平台将额外的加工室连接到平台以提高平台的室数量。然而，室 的采购和运营的商业模式是复杂的，并且用于多室结合的集成和软件开发同样是复杂的。因此，由于现有技术的这些缺陷，有必要解决上述问题。
技术实现思路
根据本公开的一个方面，提供了一种半导体加工站。半导体加工站包括第一平台、第二平台和真空通道，其中，第一平台具有第一加载锁和多个第一室，第二平台具有第二加载锁和多个第二室，真空通道连接第一和第二加载锁。优选地，真空通道具有连接至所述第一加载锁的第一侧，并具有与所述第一侧相对且连接至所述第二加载锁的第二侧。优选地，半导体加工站还包括设备前端模块(EFEM)和第三加载锁，其中，所述EFEM连接至所述第三加载锁，所述第三加载锁连接至所述真空通道。优选地，所述EFEM还包括交互机器人和加载口。优选地，所述EFEM具有大气压。优选地，半导体加工站还包括控制所述EFEM、所述第三加载锁和所述真空通道的操作的第三控制系统。优选地，所述第一平台和所述第二平台中的每一个均包括从由集群平台、线性平台和倾斜平台组成的组中选择的一个平台。优选地，半导体加工站还包括控制所述半导体加工站的操作的主机控制系统。优选地，第一平台包括控制所述第一平台的操作的第一控制系统，所述第二平台包括控制所述第二平台的操作的第二控制系统。优选地，真空通道还包括至少一个真空机器人和设置在所述真空机器人旁边的晶圆载物台。优选地，真空通道具有处于10_4至10_6大气压范围内的操作压力。优选地，半导体加工站还包括连接至所述真空通道的缓冲台，其中，所述缓冲台具有10_4至10_6大气压范围内的操作压力。根据本公开的另一个方面，提供了一种在半导体加工站中加工半导体晶圆的方法，该半导体加工站包括第一和第二集群平台，该集群平台的每一个均包括多个室。该方法包括如下步骤:在第一集群平台中提供半导体晶圆，在真空中将半导体晶圆在第一和第二集群平台之间转移。优选地，第一集群平台包括第一加载锁，所述第二集群平台包括第二加载锁。优选地，半导体晶圆通过所述第一加载锁和所述第二加载锁在所述第一集群平台和所述第二集群平台之间转移。优选地，转移步骤包括:通过真空通道在所述第一集群平台和所述第二集群平台之间转移所述半导体晶圆的子步骤。根据本公开的又一个方面，提供了一种半导体加工站。该系统包括第一平台、第二平台和真空通道，其中，第一平台包括多个第一室，第二平台包括多个第二室，并且真空通道连接于第一和第二平台。优选地，真空通道包括第一侧、与所述第一侧相对的第二侧、第一端和与所述第一端相对的第二端，并且所述第一平台连接至所述第一侧，所述第二平台连接至所述第二侧。优选地，半导体加工站还包括:连接至所述第一端的EFEM ；以及连接至所述第二端的缓冲台，所述第一平台和所述第二平台中的每一个均包括从由集群平台、线性平台和倾斜平台组成的组中选择的一个平台。优选地，真空通道还包括至少一个真空机器人和设置在所述真空机器人旁边的晶圆载物台，并且具有10_4至10_6大气压范围内的操作压力的所述真空通道连接至具有10_4至10_6大气压范围内的操作压力的所述缓冲台。【附图说明】通过以下结合附图的详细说明能更好地理解本公开。需要强调的是，根据行业标准操作，各个部件并非按比例示出并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚地说明，各个部件的尺寸可任意增大或减小。图1示出了根据本公开的一个实施例的半导体加工站。图2示出了根据本公开的另一个实施例的半导体加工站。图3示出了根据本公开的另一个实施例的半导体加工站。图4示出了根据本公开的另一个实施例的半导体加工站。图5示出了根据本公开的一个实施例的在半导体加工站中加工半导体晶圆的方法的流程图。【具体实施方式】参照具体实施例和某些附图描述本公开，但是本公开并不局限于此而是仅由权利要求限定。所述附图仅是示例性的而非限制性的。在附图中，出于说明的目的，一些元件的尺寸可能被放大而并不按比例绘制。尺寸和相对尺寸未必对应于实践中实际减少的尺寸。此外，说明书和权利要求中的术语第一、第二和类似短语用于在相似元件之间区分并且未必用于描述顺序，无论是时间顺序、空间顺序、排序中的顺序还是其它任何方式中的顺序。注意，在权利要求中使用的术语“包括”不应当被理解为限制到其后列出的装置；其不排除其它元件或步骤。因此，“包括”被理解为指定所引用的所述特征、部分、步骤或部件的存在，但是不排斥存在或添加一个或多个其他特征、部分、步骤或部件、或它们的组合。因此，表述“设备包括装置A和B”的范围不应当限制为设备仅包括装置A和B。在整个说明书中，参照“一个实施例”或“实施例”意味着关于该实施例描述的具体特征、结构或特性包括在至少一个实施例中。因此，整个说明书中不同位置中的词组“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现未必都参照同一个实施例，但是有可能是。此外，具体特征、结构或特性在一个或多个实施例中可以以任何适当的方式结合，根据本公开获得所述的任何适当的方式对于本领域普通技术人员来说是显而易见的。类似地，应当理解，在对示例性实施例的描述中，出于简化本公开和旨在理解多个专利技术方面中的一个或多个的目的，多个特征有时会一起结合到单个实施例、附图或说明中。然而，这种公开的方法不应理解为其目的在于反映要求保护的专利技术需要比每个权利要求中明确记载的更多的技术特征。相反，正如权利要求所反映的，专利技术方面在于少于单个前述公开实施例的所有技术特征。因此,权利要求明确地结合入本详细说明中，同时每个权利要求作为单独的实施例而独立。此外，尽管本文描述的一些实施例包括其他实施例中的一些技术特征而不包括其它特征，但是不同实施例的特征的组合包括在本专利技术的范围内，并形成不同的实施例，这会被本领域技术人员理解。例如，在权利要求中，任何要求保护的实施例可以任意组合方式使用。在本文提供的说明中，阐述了多个具体细节。然而，应当理解，实施例可以在没有这些具体细节的情况下实施。在其它情形下，已知方法、结构和技术没有详细示出，以便不会模糊对本说明的理解。现在通过对若干实施例的详细描述来描述本公开。清楚地是，根据本领域技术人员的知识，可以构造其它实施例而不偏离本公开的真实技术教导，并且本专利技术由权利要求的术语限定。此后，参照附图详细描述本专利技术的实施例。图1示出了根据本公开的一个实施例的半导体加工站100。半导体加工站100包括第一平台120、第二平台140和真空通道160，其中，第一平台120具有第一加载锁122a和多个第一室 1241、1242、1243、1244、1245、1246、1247、12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体加工站，包括： 具有第一加载锁和多个第一室的第一平台； 具有第二加载锁和多个第二室的第二平台；以及 连接所述第一加载锁和所述第二加载锁的真空通道。

【技术特征摘要】
2012.09.27 US 13/629,4981.一种半导体加工站,包括: 具有第一加载锁和多个第一室的第一平台； 具有第二加载锁和多个第二室的第二平台；以及 连接所述第一加载锁和所述第二加载锁的真空通道。2.根据权利要求1所述的半导体加工站，其中，所述真空通道具有连接至所述第一加载锁的第一侧，并具有与所述第一侧相对且连接至所述第二加载锁的第二侧。3.根据权利要求1所述的半导体加工站，还包括设备前端模块(EFEM)和第三加载锁，其中，所述EFEM连接至所述第三加载锁，所述第三加载锁连接至所述真空通道。4.根据权利要求3所述的半导体加工站，其中，所述EFEM还包括交互机器人和加载口。5.根据权利要求3所述的半导体加工站，其中，所述EFEM具有大气压。6.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：高茂林，刘旭水，胡天镇，柯力仁，沈香吟，白峻荣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71