制造半导体装置的方法制造方法及图纸

公开了一种用于制造半导体装置的方法以及设备。该方法包括：将晶片设置在支承件上；覆盖晶片的中心晶片部分；以及从晶片切去晶片的边缘晶片部分。根据设备的实施方式，该设备包括：被配置成支承晶片的支承件；被配置成覆盖晶片的中心晶片部分的遮挡装置；以及被配置成从晶片切去晶片的边缘晶片部分的切割装置。

Method for manufacturing semiconductor device

A method and apparatus for manufacturing a semiconductor device are disclosed. The method includes: the wafer is arranged on the support center; chip part of the chip is covered; and from the edge of the wafer wafer wafer cutting part. According to embodiments of the equipment, the equipment includes: configured to support a wafer; shielding device is configured to cover part of the center of the wafer wafer; and is configured from the cutting edge of the wafer wafer cutting device part of wafer.

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法
本申请涉及制造半导体装置的方法。
技术介绍
在提供用于半导体装置的半导体基板的晶片上制造诸如微机电系统(MEMS)的半导体装置。晶片的直径可以等于或大于300mm。晶片的厚度可以小于300μm。这样的晶片可能容易断裂。为了加固晶片使其免于断裂，晶片可以被设置有所谓的太鼓(Taiko)环，所述太鼓环的厚度比半导体晶片的其中制造半导体装置的中心部分的厚度大。太鼓环围绕半导体晶片的中心部分，并降低半导体晶片断裂的风险。在制造工艺的某个阶段，必须去除太鼓环。从晶片的中心部分切去太鼓环会释放颗粒。一些颗粒可能停留在晶片的表面上，其中颗粒可以作为杂质危及在晶片上的半导体装置的功能。例如，声音传感器需要用于可移动的麦克风膜的腔。停留在腔内的杂质颗粒可以影响麦克风膜移动的方式，从而改变声音传感器对撞击麦克风膜的压力波的响应。
技术实现思路
根据方法的实施方式，该方法包括：将晶片设置在支承件上；覆盖晶片的中心晶片部分；以及从晶片切去晶片的边缘晶片部分。根据设备的实施方式，该设备包括：被配置成支承晶片的支承件；被配置成覆盖晶片的中心晶片部分的遮挡装置；以及被配置成从晶片切去晶片的边缘晶片部分的切割装置。附图说明包括附图以提供对实施方式的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了实施方式，并且与描述一起用于解释实施方式的原理。将容易地理解其他实施方式以及实施方式的许多预期的优点，因为通过参考以下详细描述，其他实施方式以及实施方式的许多预期的优点将变得更好理解。附图的元件不一定相对于彼此成比例。相同的附图标记表示相应的相似部件。图1示出了用于处理晶片的设备的实施方式的截面侧视图。图2示出了制造半导体装置的方法的实施方式的流程图。图3示出了用于处理晶片的设备的实施方式的截面侧视图。具体实施方式在下面的详细描述中，参考形成详细描述的一部分的附图，并且在附图中示出了可以实践本专利技术的具体实施方式。在这方面，参考图的取向使用诸如“顶”、“底”、“前”、“后”、“头”、“尾”等方向术语进行描述。因为实施方式的部件可以被定位在许多个不同的取向中，所以方向术语用于说明的目的，而不是限制。应当理解，在不脱离本专利技术的范围的情况下，可以利用其他实施方式并进行结构或逻辑上的改变。因此，以下详细描述不被认为是限制性的，并且本专利技术的范围由所附权利要求限定。应当理解，除非另有特别说明，否则本文所述的各种示例性实施方式的特征可以彼此组合。图1示出了用于处理诸如晶片120的工件的设备100的实施方式的截面侧视图。设备100被配置为用于制造半导体装置的工具。一方面，半导体装置或半导体装置芯片的实施方式可以包括具有互连以形成诸如处理器、控制器或任何其他合适类型的装置众多装置的许多(例如，数千或数百万)个晶体管的集成电路。另一方面，半导体装置可以包括仅具有单个晶体管的实施方式，例如功率MOSFET。在其他实施方式中，该装置不包括任何晶体管(例如，MEMS装置)。设备100包括被设置为卡盘110的支承件，卡盘110被配置成支承工件，例如晶片120。设备100包括被设置为激光工具130的切割装置，激光工具130被配置成发射激光束132。此外，根据本文公开的各种实施方式，设备100包括遮挡装置140，其被示出为被配置成覆盖晶片120的至少一部分的盖板140。在所示的实施方式中，卡盘110可以包括卡盘基座、转台以及被配置成将转台支承在卡盘基座(未示出)上的轴承。在一些实施方式中，设备100包括驱动单元(未示出)。在一些实施方式中，驱动单元被配置成接收控制信号，并且基于控制信号来移动转台。在一些实施方式中，转台设置有驱动单元，该驱动单元被配置成围绕旋转轴线115相对于卡盘110的卡盘基座旋转转台，在一些实施方式中，旋转轴线基本上是竖直的。在一些实施方式中，驱动单元被配置成使转台相对于卡盘110的卡盘基座横向移动。在一些实施方式中，卡盘110和激光工具130被布置成使得晶片120能够相对于激光束132旋转。因此，由卡盘110支承的晶片120能够与卡盘110的转台一起旋转，以将晶片120的各个部分驱动到暴露于激光束132的位置。在另一实施方式中，卡盘是固定的，并且激光束132的方向可以改变。因此，激光束132可以被引导至晶片120的将要暴露于激光束132的各个部分。在一个实施方式中，晶片120由卡盘110支承，并且激光束132可以被引导至晶片120的表面121上，以便切割晶片120。在一些实施方式中，遮挡装置140具有足够的刚度，对于晶片120的表面121与遮挡装置140的面142之间的间隙在晶片120的整个中心部分上刚度基本上相同。在一个实施方式中，晶片120的中心部分是晶片120的在遮挡装置140之下的部分。例如，在一些实施方式中，遮挡装置140可以设置为盖板140，并且由诸如金属或例如钢的合金的材料形成。在一些实施方式中，盖板140由塑料制成。对于由设备100处理的典型晶片120，在一些实施方式中，盖板140的刚度大于晶片120的在晶片120的(减薄的)中心部分中的刚度。在一些实施方式中，遮挡板140的轮廓遵循形成在中心晶片部分与边缘晶片部分邻接的位置处的台阶(未示出)的外周轮廓。在一个实施方式中，晶片120的边缘晶片部分是晶片120的不在遮挡装置140之下的部分。在一些实施方式中，遮挡装置140被配置成与晶片120的表面121间隔开，同时覆盖晶片120的中心部分。在一些实施方式中，设备设置有至少一个开口(未示出)，例如设置在盖板140中，所述开口被配置成将来自蓄存器或其他源(未示出)的气体和/或流体引导至在盖板140与晶片120的表面121之间的空间中的通道。在一个实施方式中，气体被吹入到遮挡装置140与晶片120之间的空间中，以便在晶片120的表面121处提供大于环境压力的压力。在一个实施方式中，颗粒150作为在附接到晶片120的表面121之前被远离或被驱离晶片120的中心部分的杂质。在一些实施方式中，翅片141附接至盖板140，其提供从盖板140朝向卡盘110向下延伸的凸缘。翅片141可以由软材料形成。在一些实施方式中，翅片141基本上由诸如硅酮的物质制成或包括诸如硅酮的物质。在一些实施方式中，翅片141向下延伸并且接触晶片120的在晶片120的边缘部分中的表面121。在所示的实施方式中，与晶片120的中心部分相比，边缘部分(在本文中也被称为晶片120的边沿部分)对暴露于其他物质不敏感，因为边沿部分包括太鼓环而晶片120的中心部分包括待制造的装置。在一些实施方式中，翅片141减小或封闭颗粒150可以另外进入晶片120与盖板140之间的空间的间隙。颗粒150可以不利地作为停留在晶片120的表面121上并且损害在晶片120的基板上制造的装置的功能性或可靠性的杂质。图2示出了制造半导体装置的方法的实施方式的流程图。尽管将参照图1所示的设备100的示例性实施方式，但是应当理解的是，在不偏离本文限定的概念的情况下，可以使用其他实施方式中的设备100的变型。在S210处，在一些实施方式中，对晶片120的中心晶片部分进行减薄。在这些实施方式中，晶片120的中心晶片部分比晶片120的周边部分薄。晶片120的中心晶片部分可被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：将晶片设置在支承件上；覆盖所述晶片的中心晶片部分；以及从所述晶片切去所述晶片的边缘晶片部分。

【技术特征摘要】
2016.05.13 US 15/154,6771.一种方法，包括：将晶片设置在支承件上；覆盖所述晶片的中心晶片部分；以及从所述晶片切去所述晶片的边缘晶片部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中，覆盖所述晶片的所述中心晶片部分包括在所述晶片的所述中心晶片部分之上设置遮挡装置。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述晶片的所述中心晶片部分具有均匀的厚度。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述晶片的所述边缘晶片部分的厚度大于所述晶片的所述中心晶片部分的厚度。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述遮挡装置的轮廓遵循形成在所述晶片的所述中心晶片部分与所述晶片的所述边缘晶片部分邻接的位置处的台阶的外周轮廓。6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述遮挡装置的刚度大于所述晶片的所述中心晶片部分的刚度。7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述遮挡装置包括板，所述板由从金属、塑料以及这些材料的任意组合或衍生物构成的组中选择的材料形成。8.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述晶片的所述中心晶片部分之上设置所述遮挡装置包括在所述晶片的所述中心晶片部分的表面与所述遮挡装置之间留有空间。9.根据权利要求8所述的方法，还包括对在所述中心晶片部分的表面与所述遮挡装置之间的所述空间进行加压。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述遮挡装置包括被配置为用于气体的通道的开口，并且其中，对在所述中心晶片部分的表面与所述遮挡装置之间的所述空间进行加压包括通过所述开口提供气体，并且使所...

【专利技术属性】
技术研发人员：乌尔苏拉·赫德尼希，托马斯·格里勒，马库斯·奥托维茨，卡斯滕·万科布林斯基，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE