倒装芯片型半导体背面用膜制造技术

公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，其特征在于热固化后的23℃下的拉伸贮能弹性模量为10GPa至50GPa。因为公开的倒装芯片型半导体背面用膜形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，因此该膜用于保护半导体元件。另外，因为公开的倒装芯片型半导体背面用膜热固化后的23℃下的拉伸贮能弹性模量为10GPa以上，因此该膜在将半导体元件倒装芯片连接至物体时能够有效地抑制或防止半导体元件翘曲。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜。倒装芯片型半导体背面用膜用于保护半导体元件例如半导体芯片等的背面和提高其强度等的目的。另外，本专利技术涉及使用半导体背面用切割带集成膜制造半导体器件的方法和倒装芯片安装的半导体器件。
技术介绍
近年来，日益要求半导体器件及其封装体的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装体，已经广泛地利用其中将半导体元件例如半导体芯片等借助于倒装芯片接合而安装(倒装芯片连接)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类 半导体器件等中，可能存在半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况。然而，出于用前述保护膜保护半导体芯片的背面的目的，需要增加将保护膜粘贴至在切割步骤中获得的半导体芯片的背面的新步骤。结果，加工步骤数量增加，以致制造成本等增加。此外，近来朝向薄型化的趋势可能引起在半导体芯片的拾取步骤中损坏半导体芯片的问题。因此，直至拾取步骤，出于提高其机械强度的目的，需要补强半导体晶片或半导体芯片。特别地，可能存在由于半导体芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.19 JP 2010-096294;2010.04.19 JP 2010-096291.一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上， 其中热固化后的23°c下的拉伸贮能弹性模量为IOGPa以上至不大于50GPa。2.根据权利要求I所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜由至少热固性树脂组分形成。3.根据权利要求2所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其至少包括由至少热固性树脂组分和具有25°C以上至不高于200°C的玻璃化转变温度的热塑性树脂组分形成的层。4.根据权利要求3所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述具有25°C以上至不高于200°C的玻璃化转变温度的热塑性树脂组分的共混比落入相对于树脂组分的总量为5重量％以上至不大于40重量％的范围内。5.根据权利要求3或4所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述具有25°C以上至不高于200°C的玻璃化转变温度的热塑性树脂组分包括具有25°C以上至不高于200°C的玻璃化转变温度的丙烯酸类树脂。6.根据权利要求2所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其至少包括由至少热固性树脂组分形成的且不包含热塑性树脂组分的层。7.根据权利要求2-6任一项所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述热固性树脂组分包括环氧树脂。8.根据权利要求6所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述热固性树脂组分包含相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，志贺豪士，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：
国别省市：