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本发明涉及用来制造镶嵌式自对准铁电随机存取存储器（F-RAM）的方法。公开了一种非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM）装置和用于制造镶嵌式自对准F-RAM的方法，该方法允许形成与预先存在的三维（3D）晶体管结构对准的具有分开PZT层的铁电...
该专利属于瑞创国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞创国际公司授权不得商用。

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