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本发明公开了一种氮化物半导体装置。氮化物半导体装置包括具有有缘区域(102A)的氮化物半导体层叠层体(102)、和呈指状的第一电极(131)及呈指状的第二电极(132)，该第一电极(131)和该第二电极(132)彼此留有间隔地形成在有缘区域...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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