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一种MOSFET装置具有在半导体衬底中蚀刻的漏斗形沟槽。所述漏斗形沟槽具有喇叭形缘，所述喇叭形缘从在所述半导体衬底的表面处的较宽横截面沟槽开口延伸到终止于所述半导体衬底的外延层部分中的较窄横截面沟槽主体部分。栅电极安置在所述沟槽中位于所述喇...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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