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横向晶体管制造技术
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文档序号:9186998
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提出了一种横向晶体管。根据本实用新型实施例的横向晶体管包括:栅区,形成于栅介质层的第一部分上;以及场板,形成于场介质层上,覆盖该场介质层的至少一部分,并延伸至所述栅介质层上覆盖该栅介质层的第二部分,其中该场板与所述栅区之间具有位于所述栅介质...
该专利属于成都芯源系统有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都芯源系统有限公司授权不得商用。
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