具有金属栅极应激源的FINFET制造技术

提供用于鳍式场效晶体管(FinFET)器件的栅极应激源。栅极应激源包括底面、第一应激源侧壁、以及第二应激源侧壁。在栅极层的第一部分上形成底面。栅极层设置在浅沟槽隔离(STI)区域上。在栅极层的第二部分上形成第一应激源侧壁。栅极层的第二部分设置在鳍的侧壁上。在栅极层的第三部分上形成第二应激源侧壁。栅极层的第三部分设置在与鳍间隔开的结构的侧壁上。第一应激源侧壁和第二应激源侧壁没有超过鳍的高度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于鳍式场效晶体管(FinFET)器件的栅极应激源，包括：底面，形成在栅极层的第一部分上，所述栅极层设置在浅沟槽隔离(STI)区域上方；第一应激源侧壁，形成在所述栅极层的第二部分上，所述栅极层的第二部分设置在鳍的侧壁上；以及第二应激源侧壁，形成在所述栅极层的第三部分上，所述栅极层的第三部分设置在与所述鳍间隔开的结构的结构侧壁上，所述第一应激源侧壁与所述第二应激源侧壁没有超过所述鳍的高度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：巫凯雄，奧野泰利，简珮珊，曾伟雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：