用于FinFET的源极/漏极轮廓制造技术

本实施例是一种FinFET器件。FinFET器件包括鳍、第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域和沟道区域。鳍凸起在衬底上方。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域位于鳍中。沟道区域横向地位于第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。沟道区域具有与衬底的顶面既不平行也不垂直的面。本发明专利技术提供了用于FinFET的源极/漏极轮廓。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种FinFET器件，包括：鳍，凸起在衬底上方；第一源极/漏极区域，位于所述鳍中；第二源极/漏极区域，位于所述鳍中；以及沟道区域，横向地位于所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间，所述沟道区域具有与所述衬底的顶面既不平行也不垂直的沟道面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：马大钧，吴政宪，柯志欣，万幸仁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：