【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体装置，具备：第一导电类型的漏极区，具有第一部分和第二部分，所述第二部分具有在与所述第一部分的主面垂直的第一方向上延伸的面；第一导电类型的源极区，在与所述第二部分平行的第二方向上延伸，与所述漏极区分离设置；第二导电类型的基极区，与所述源极区相接地设在所述漏极区与所述源极区之间；第一导电类型的漂移区，设在所述漏极区与所述基极区之间；栅电极，在所述第一方向以及与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸，在所述第三方向上贯通所述基极区；栅极绝缘膜，设在所述源极区、所述基极区和所述漂移区这三个区与所述栅电极之间；第一半导体区，设在所述栅极绝缘膜与所述漏极区之间，杂质浓...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：三须伸一郎，大田刚志，西胁达也，内原士，川口雄介，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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