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本发明涉及一种半导体装置。实施方式的半导体装置具有漏极区、源极区、基极区、漂移区、栅极区、栅极绝缘膜、电场缓和部、漏电极和源电极。漏极区具有第一部分和第二部分，该第二部分具有在第一方向上延伸的面。源极区在第二方向上延伸并与漏极层分离设置。基...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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