【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体装置，具备：第1导电型的第1半导体层；第2半导体层，设置在所述第1半导体层上，为第1导电型，有效杂质浓度比所述第1半导体层的有效杂质浓度低；第2导电型的基极层，设置在所述第2半导体层上；第1导电型的第3半导体层，设置在所述基极层上；多个栅电极，上端位于所述基极层的上表面的上方，下端位于所述基极层的下表面的下方，隔着栅极绝缘膜与所述第2半导体层、所述基极层及所述第3半导体层相接；绝缘部件，配置在所述栅电极上，上表面位于所述第3半导体层的上表面的下方；导电膜，在所述栅电极之间，与所述栅电极相隔规定的距离，将所述第3半导体层的从上端至下端、以及所述第3半导体层及所述绝缘...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：西胁达也，大田刚志，安原纪夫，新井雅俊，河野孝弘，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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