具有防止逆向工程特性的半导体器件制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】具有防止逆向工程特性的半导体器件本申请要求2013年11月提交的美国专利申请号13/739，463的优先权，其是2012年10月30日提交的美国专利申请号13/663,921的继续部分，其是2011年7月29日提交的美国专利申请号13/194，452的分案，其要求2011年7月提交的美国临时申请序列号61/494，172的权益，在此通过引用并入其全部内容。
技术介绍
希望能设计难以进行逆向工程的电子芯片，以保护电路设计。已知的逆向工程技术包括拆卸芯片层从而暴露出逻辑器件的方法。半导体拆卸技术通常涉及成像器件层、去除该层、成像下一层、去除该层，以此类推直到实现半导体器件的完整表现。通常用光学或电子显微镜完成层的成像。通过用诸如研磨或抛光的物理手段、通过蚀刻特定化合物的化学手段、通过激光或聚焦离子束技术(FIB)，或者通过能够去除这些层的任何其它已知方法完成层的去除。图1示出由拆卸逆向工程技术成像的一些半导体层和区域。一旦完成半导体器件拆卸，并且收集到成像信息，可以使用扩散层、多晶硅、限定用于创建逻辑门的MOS器件的阱区、以及限定这些逻辑门如何互连的金属层来...
【技术保护点】
一种ROM电路，包括：第一N沟道晶体管，所述第一N沟道晶体管具有输出，并且具有下述器件几何形状和器件特性，所述器件几何形状和器件特性适于当P沟道电路连接至所述第一N沟道晶体管时以预定电平偏置所述输出；传输晶体管，所述传输晶体管连接在所述输出和数据总线之间，所述传输晶体管连接至字线，所述字线适于当所述字线被断言时导通所述传输晶体管；以及所述P沟道电路，所述P沟道电路连接至所述数据总线，并且适于当传输晶体管被导通时提供泄漏电流以充电所述第一N沟道晶体管中的栅极。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：威廉·埃利·撒克，罗伯特·弗朗西斯·滕采尔，迈克尔·克林顿·霍克，
申请(专利权)人：安全硅层公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。