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本发明公开了一种晶体管及其沟道长度的形成方法。其包括：衬底、形成在所述衬底上的耐高压半导体层、利用高压条件形成在所述耐高压半导体层中的非对称漂移区，非对称漂移区之间的距离为有效的沟道长度。非对称漂移区之间的距离为有效的沟道长度，使得比如在源...
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