一种应变沟道晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种应变沟道晶体管及其制备方法，先提供一SOI结构，然后在其上方沉积一掩膜层并刻蚀至SOI结构的衬底形成沟槽，然后在沟道内外延生长一层锗材料层和硅材料层以定义出沟道区，再于沟道上方完成及侧墙栅极制备工艺，最后去除掩膜层再于源漏极重新生长一外延层及源流掺杂制备工艺。由于硅的晶格常数要小于锗的晶格常数，因此锗材料层会在沟道中产生一个较高的应力，有利于提高沟道的载流子迁移率，同时可显著改善热载流子效应，提升器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制备领域，具体涉及。
技术介绍
现有技术中，为了满足晶体管的低功率和高工作效率的趋势，开发出应变沟道晶体管，其沟道形成为大的晶格参数，从而提高电荷通过沟道的迁移率。随着人们对高性能半导体器件的不断追求，MOSFET的关键尺寸不断缩小，而关键尺寸的缩小意味着在芯片上下可布置更多数量的晶体管，进而提高器件性能。但是随着器件面积的不断缩小，问题也随之而来，由于现有工艺及设备的限制，很难制备出完全理想的栅氧化层，而电源电压无法得到良好的保证，因此很难控制由于器件尺寸的缩小从而带来的短沟道效应(SCE，Short Channel Effect)。为了降低短沟道效应对器件性能造成的不利影响，超浅结(USJ)技术被开发出来，但是采用超浅结技术会显著增加抑制结电容和漏电流的难度，尤其是对于NMOS的源漏极(source/drain, S/D)注入，需要精确控制注入的条件，这对现有技术也是一项巨大的挑战。由于很难得到理想的电源电压，因此在在漏极/晕状区(halo)交界处一般有高电场的存在，尤其是在重掺晕状区(halo)尤其严重。为了获得具有更加优良性能的沟道晶体管，当前的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应变沟道晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一SOI结构，该SOI结构自下而上依次包括衬底、埋氧层和硅化物层；沉积一掩膜层将所述SOI结构上表面予以覆盖并刻蚀去除部分掩膜层；步骤S2、以剩余的掩膜层为掩膜刻蚀部分所述硅化物层和埋氧层至所述衬底的上表面停止形成沟槽；步骤S3、在所述沟槽内制备应变沟道层；步骤S4、制备一侧墙将沟槽暴露的侧壁表面予以覆盖后，继续在应变沟道层暴露的上表面制备一栅介质层；步骤S5：填充栅极材料层充满所述沟槽并抛光至所述剩余掩膜层上表面；步骤S6：去除剩余掩膜层并在剩余硅化物层上方生长一层外延层，进行源漏制备工艺。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31