具有晶体结构的N功函金属制造技术

本发明专利技术提供了一种方法，该方法包括在半导体衬底上方形成伪栅极堆叠件，其中，该半导体衬底包括在晶圆中。该方法还包括去除伪栅极堆叠件以形成凹槽，在凹槽中形成栅极介电层，且在凹槽中和栅极介电层上方形成金属层。金属层具有n功函。金属层的一部分具有晶体结构。该方法还包括使用金属材料填充凹槽的剩余部分，其中，金属材料覆盖金属层。本发明专利技术还涉及具有晶体结构的N功函金属。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及半导体
，更具体地，涉及具有晶体结构的N功函金属。
技术介绍
在集成电路中，金属氧化物半导体（M0巧器件是基本的建造元件。现有的M0S器 件通常具有包括多晶娃的栅电极，其中多晶娃使用诸如离子注入或热扩散的惨杂操作惨杂 有P型或n型杂质。将栅电极的功函调整至娃的能带边沿。对于n型金属氧化物半导体 (NM0巧器件，可W将功函调整至接近娃的导带。对于P型金属氧化物半导体（PM0巧器件， 可W将功函调整至接近娃的价带。通过选择合适的杂质可W实现调整多晶娃栅电极的功 函。具有多晶娃栅电极的M0S器件显示出载流子耗尽效应，也称为多晶娃耗尽效应。 当所施加的电场将载流子从接近栅极电介质的栅极区清除时会发生多晶娃耗尽效应，从而 形成耗尽层。在n惨杂的多晶娃层中，耗尽层包括离子化非移动供给位，其中，在P惨杂的 多晶娃层中，耗尽层包括离子化非移动接收位。此耗尽效应会造成有效栅极介电层厚度的 增加，而使得要在此半导体表面处形成反转层更为困难。 可W通过形成金属栅电极或金属娃化物栅电极解决多晶娃耗尽问题，其中，用于 NM0S器件和PM0S器件的金属栅极也可W具有能带边沿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在半导体衬底上方形成伪栅极堆叠件，其中，所述半导体衬底包括在晶圆中；去除所述伪栅极堆叠件以形成凹槽；在所述凹槽中形成栅极介电层；在所述凹槽中以及所述栅极介电层上方形成金属层，其中，所述金属层具有n功函，所述金属层的一部分具有晶体结构；以及使用金属材料填充所述凹槽的剩余部分，其中，所述金属材料覆盖所述金属层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：洪奇成，刘冠廷，粘骏楠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71