【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种金属互连结构，所述金属互连结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的铜互连线；位于所述铜互连线上的连接层，所述连接层含碳、硼和铝；以及位于所述连接层上的低K介质层。在此，通过连接层连接铜互连线和低K介质层，利用含碳、硼和铝的连接层的耐腐蚀性、抗热性、抗氧化性，以及与铜互连线和低K介质层都能很好粘合的性能，提高了低K介质层与铜互连线之间的连接可靠性，从而提高了生产良率、降低了制造成本。【专利说明】金属互连结构
本技术涉及集成电路
，特别涉及一种金属互连结构。
技术介绍
随着集成电路的制造向超大规模集成电路（ULSI)发展，其内部的电路密度越来越 大，所含元件数量不断增加，使得晶片的表面无法提供足够的面积来制造所需的互连线。为 了配合元件缩小后所增加的互连线需求，利用配线槽及通孔实现的两层以上的多层金属互 连线的设计，成为超大规模集成电路技术所必须采用的方法。 传统的金属互连线是由铝金属制造实现的，但随着集成电路芯片中器件特征尺寸 的不断缩小，金属互连线中的电流密度不断增大，响应时间不断缩短，传统...
【技术保护点】
一种金属互连结构，其特征在于，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的绝缘层；位于所述绝缘层中的铜互连线；位于所述铜互连线上的连接层，所述连接层为碳硼化铝层；以及位于所述连接层上的低K介质层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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