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本实用新型提供了一种金属互连结构，所述金属互连结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的铜互连线；位于所述铜互连线上的连接层，所述连接层含碳、硼和铝；以及位于所述连接层上的低K介质层。在此，通过连接层连接铜互连线和低K介质层，利用含碳、硼...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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