半导体器件以及互连基板制造技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及半导体器件以及互连基板。半导体基板包括半导体芯片以及互连基板。互连基板具有在第一主表面和第二主表面之间的互连区，第一主表面形成有连接到半导体芯片的多个顺序排列的第一和第二信号电极。互连区具有：芯基板；形成在其两个表面上的互连层；多个第一通孔以及穿过第一主表面上的互连层的多个第一通路，用于形成阻抗匹配电容。各个第一通孔在与第一信号电极隔开第一互连长度的位置处连接到第一信号互连，并且各个第一通路在与第二信号电极隔开基本上与第一互连长度相等的第二互连长度的位置处连接到第二信号互连。【专利说明】半导体器件以及互连基板 相关申请交叉引用 将2013年4月9日提交的日本专利申请No. 2013-081064的公开内容，包括说明 书、附图和摘要，整体并入本文作为参考。
本专利技术涉及一种半导体器件以及一种互连基板，并且特别涉及一种在应用至能够 高速通信的半导体器件时有效的技术。
技术介绍
近年来，网络通信中的通信速度已经进一步提高，并且已经在网络设备中普遍使 用超过lOGbps的信号传输速度。因此，由安装在网络设备上的通信半...
【技术保护点】
一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体芯片以及互连基板，所述互连基板具有安装在所述互连基板上的所述半导体芯片，其中，所述互连基板包括：第一主表面，所述第一主表面形成有电连接到所述半导体芯片的多个第一电极；第二主表面，所述第二主表面与所述第一主表面相反；以及互连区，所述互连区插入所述第一主表面和所述第二主表面之间，其中，所述第一电极包括顺序布置的多个第一信号电极和第二信号电极，所述第一信号电极和第二信号电极用于接收每个均在预定频率下的信号的供应，并且其中，所述第一信号电极和所述第二信号电极在其布置中分散设置，并且其中，所述互连区包括：芯基板；多个互连层，所述互连层分别形成在...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：仮屋崎修一，及川隆一，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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