【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，并且例如涉及有效适用于制造具有键合线的半导体器件的方法的技术。
技术介绍
1、下面列出了公开的技术。
2、[专利文献1]日本未审查专利申请公开号h2-90634
3、[专利文献2]日本未审查专利申请公开号2000-12603
4、专利文献1公开了一种涉及被提供有键合焊盘的半导体器件的技术，键合焊盘具有对准标记，对准标记由狭缝或突起制成并且对应于导线键合器的定位十字标记。
5、专利文献2公开了一种技术，其中键合焊盘被提供有允许视觉识别键合焊盘的中心的形状。
技术实现思路
1、例如，存在具有以下配置的半导体器件，在该配置中，键合线被连接到形成在半导体芯片的正表面上的焊盘。在这种半导体器件中，为了抑制由于键合线所连接的键合位置的未对准而引起的半导体器件的特性波动，需要准确地指定键合线所连接的焊盘的键合区域。即，在具有键合线的半导体器件中，期望提供一种能够准确地指定键合线所连接的焊盘的键合区域的配置。
2、根据本专利技术的一个实施例，一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：(a)制备半导体芯片，该半导体芯片具有主表面、形成在主表面上的焊盘，以及形成在主表面上的绝缘膜；(b)在步骤(a)之后，在于绝缘膜中形成的开口部分中所暴露的焊盘的部分中指定键合区域；以及(c)在步骤(b)之后，将键合线连接到焊盘的键合区域。
3、这里，焊盘的平面形状具有包括第一边和与第一边相交的第二边的四边形形状
4、此外，在步骤(b)中，键合区域通过以下来指定：将部分构成在导线键合设备的监测器上显示的十字准线的水平线叠加在第一标记的第一线段上，并且将部分构成十字准线的垂直线叠加在第二标记的第一线段上。
5、根据本实施例，可以抑制键合线所连接的键合位置的未对准，由此可以抑制由未对准引起的半导体器件的特性波动。
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1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
5.根据权利要求1所述的...
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