低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件及制作方法技术

本发明专利技术公开一种低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件及制作方法，包括P型衬底、N型深阱、P型阱、N型阱等；在第三N+注入区的下方设有第三N阱，且第二P型浅阱中的第二P+注入通过金属线与阳极相连，第二N+注入与第五N+注入与阳极相连，该设计能够对提高器件的静电防护性能起重要作用；第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三P+注入区、第五N+注入区连接在一起作为器件的阳极，第一P+注入区、第四N+注入区、第四P+注入区、第五P+注入区连接在一起作为器件的阴极，如此，该器件在明显降低反向导通电阻的情况下提高维持电压和失效电流，有效地保护芯片的核心电路，远离闩锁的风险。该器件能够应用于0～5V工作电压的I/O端口的ESD防护。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静电防护领域，特别涉及一种低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件及制作方法。

技术介绍

1、随着半导体制程工艺的进步，esd造成集成电路芯片以及电子产品失效的情况愈加严重了。对电子产品以及集成电路芯片进行esd防护成为了产品工程师们面临的主要难题之一。esd设计窗口是产品工程师在进行esd防护设计时需要重点考虑的问题，其中包括触发电压vt1、触发电流it1、维持电压vh、维持电流ih、失效电压vt2、失效电流it2、导通电阻ron。esd防护器件的触发电压要小于核心电路被保护端口的最高耐压即漏源击穿电压，通常触发电压要低最高耐压的10％～20％；esd防护器件的维持电压要高于核心电路正常工作电压的1.1～1.2倍，保护核心电路不会因为esd防护器件始终保持开启状态而无法关断形成闩锁；esd防护器件的失效电流it2是衡量esd防护器件鲁棒性强弱程度的重要参数之一，表示esd防护器件所能承受的最大电流，并且如果要对核心电路进行有效防护，在达到失效电流it2时，esd防护器件的钳位电压要小于被保护端口的最高耐压；esd防护器件的导通电阻ron是器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件，其特征在于，包括：P型衬底；所述P型衬底中从左至右依次设有第一P型浅阱、N型深阱、第四N阱右部分、第五P型浅阱；

2.根据权利要求1所述的低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件，其特征在于，还包括：十个场氧隔离区；所述第一场氧隔离区在所述第一P+注入左侧，所述第二场氧隔离区在所述第一P+注入与所述第一N+注入之间，所述第三场氧隔离区在所述第一N+注入与所述第二P+注入之间，所述第四场氧隔离区在所述第二P+注入与所述第二N+注入之间，所述第五场氧隔离区在所述第二N+注入与所述第三P+注入之间，所述第六场氧隔离区在所述第三P+注...

【技术特征摘要】

1.一种低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件，其特征在于，包括：p型衬底；所述p型衬底中从左至右依次设有第一p型浅阱、n型深阱、第四n阱右部分、第五p型浅阱；

2.根据权利要求1所述的低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件，其特征在于，还包括：十个场氧隔离区；所述第一场氧隔离区在所述第一p+注入左侧，所述第二场氧隔离区在所述第一p+注入与所述第一n+注入之间，所述第三场氧隔离区在所述第一n+注入与所述第二p+注入之间，所述第四场氧隔离区在所述第二p+注入与所述第二n+注入之间，所述第五场氧隔离区在所述第二n+注入与所述第三p+注入之间，所述第六场氧隔离区在所述第三p+注入与所述第三n+注入之间，所述第七场氧隔离区在所述第四n+注入和所述第四p+注入之间，所述第八场氧隔离区在所述第四p+注入和所述第五n+注入之间，所述第九场氧隔离区在所述第五n+注入和所述第五p+注入之间，所述第十场氧隔离区在所述第五p+注入右侧。

3.根据权利要求2所述的低反向导通电阻高鲁棒性可控硅静电防护器件，其特征在于，所述第一场氧隔离区位于所述p型衬底与所述第一p型浅阱表面；所述第二场氧隔离区在所述第一p型浅阱与所述p型衬底以及所述第一n阱表面；所述第三场氧隔离区在所述第一n阱与所述第二p型浅阱表面；所述第四场氧隔离区在所述第二p型浅阱与所述第二n阱表面；所述第五场氧隔离、第六场氧隔离区在所述第二n阱表面；所述第七场氧隔离区在所述第四p型浅阱表面；所述第八场氧隔离区在所述第四p型浅阱与所述第四n阱表面；所述第九场氧隔离区位于所述第四n阱与所述p型衬底以及所述第五p型浅阱表面；所述第十场氧隔离区位于所述第五p型浅阱与所述p型衬底表面。

【专利技术属性】
技术研发人员：汪洋，陶洪柯，杨红姣，李爽，关文杰，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：