【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体装备领域，尤其涉及一种波形控制器、脉冲电源、离子能量控制装置及半导体工艺设备。
技术介绍
1、传统的半导体工艺设备的结构如图1所示，该半导体工艺设备包括：上射频电源1、匹配器2、上电极片的线圈3、进气通路4、比例阀5、工艺腔室6、下电极片7、晶圆8、静电吸附电源9、匹配器10、下射频电源11。
2、在半导体工艺设备中，工艺气体通过进气通路4进入工艺腔室6，在比例阀5的调节下控制工艺腔室6内的气压大小。静电吸附电源9通过向下电极片7施加电压来使吸附电荷快速积累，从而实现晶圆8的可靠吸附。上射频电源1通过匹配器2将射频电流注入到线圈3中，用于控制工艺腔室6内产生感性耦合等离子体。下射频电源11通过匹配器10将射频电压加载至下电极片7上，用于产生偏压进而控制工艺腔室6内等离子体的离子能量。
3、如图2所示，图2示出了下电极功率(单位：w)与等离子体的离子能量的分布图。从图2可以看出，只有在下电极功率较小(如10w)时，等离子体的离子能量才能保持单峰分布；当下电极功率逐渐增大(如从10w增大到100w)时...
【技术保护点】
1.一种波形控制器，应用于半导体工艺设备的离子能量控制装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的波形控制器，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的波形控制器，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的波形控制器，其特征在于，所述隔直支路包括至少一个电容器。
5.根据权利要求3所述的波形控制器，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1-5中任一项所述的波形控制器，其特征在于，所述波形控制器的等效电阻为临界阻尼的0.8-1.2倍，其中，
7.根据权利要求6所述的波形控制器，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种波形控制器，应用于半导体工艺设备的离子能量控制装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的波形控制器，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的波形控制器，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的波形控制器，其特征在于，所述隔直支路包括至少一个电容器。
5.根据权利要求3所述的波形控制器，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1-5中任一项所述的波形控制器，其特征在于，所述波形控制器的等效电阻为临界阻尼的0.8-1.2倍，其中，
7.根据权利要求6所述的波形控制器，其特征在于，所述波形控制器的等效电阻为所述临界阻尼的0.9-0.95倍。
8.一种脉冲电源，应用于半...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵晋荣，韦刚，王景远，王蕾越，葛军，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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