一种包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体及制作方法技术

本发明专利技术提供一种包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体及制作方法，所述器件单元体包括衬底、绝缘氧化层、第一金属层、第一二氧化硅层、第一氮化硅层、聚酰亚胺、第二金属层、第二二氧化硅层和第二氮化硅层，其特征在于：所述第一金属层和聚酰亚胺依次被第一二氧化硅层和第一氮化硅层隔开的，第二金属层和聚酰亚胺依次被第二二氧化硅层和第二氮化硅层隔开的。本发明专利技术应用在片上螺旋变压器，铜作为电感线圈，聚酰亚胺作为线圈间介质，采用金属铜与聚酰亚胺之间的阻挡层结构，可以有效防止铜扩散到聚酰亚胺中，提高器件的耐压，改善器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
201610236012

【技术保护点】
一种包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体，所述器件单元体包括衬底（1）、绝缘氧化层（2）、第一金属层（3）、第一二氧化硅层（4）、第一氮化硅层（5）、聚酰亚胺（6）、第二金属层（7）、第二二氧化硅层（8）和第二氮化硅层（9），其特征在于：所述绝缘氧化层（2）位于衬底（1）上且邻接，所述第一金属层（3）有两个，分别位于器件单元体两端且覆盖在绝缘氧化层（2）上，所述第一二氧化硅层（4）和第一二氧化硅层（5）依次覆盖在绝缘氧化层（2）和部分第一金属层（3）表面，所述聚酰亚胺（6）覆盖在氮化硅（5）表面且分立于器件单元体两侧，所述第二二氧化硅层（8）和第二氮化硅层（9）依次覆盖在聚酰亚胺（6）...

【技术特征摘要】
1.一种包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体，所述器件单元体包括衬底（1）、绝缘氧化层（2）、第一金属层（3）、第一二氧化硅层（4）、第一氮化硅层（5）、聚酰亚胺（6）、第二金属层（7）、第二二氧化硅层（8）和第二氮化硅层（9），其特征在于：所述绝缘氧化层（2）位于衬底（1）上且邻接，所述第一金属层（3）有两个，分别位于器件单元体两端且覆盖在绝缘氧化层（2）上，所述第一二氧化硅层（4）和第一二氧化硅层（5）依次覆盖在绝缘氧化层（2）和部分第一金属层（3）表面，所述聚酰亚胺（6）覆盖在氮化硅（5）表面且分立于器件单元体两侧，所述第二二氧化硅层（8）和第二氮化硅层（9）依次覆盖在聚酰亚胺（6）表面，所述第二金属层（7）有两个，分别位于器件单元体两端，所述左端的第二金属层（7）覆盖在第二氮化硅层（9）上，所述右端的第一金属层（3）上设有金属接触孔，所述右端的第二金属层（7）填充在金属接触孔内。2.根据权利要求1所述包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体，其特征在于：所述绝缘氧化层（2）的厚度在100nm ~1000nm之间。3.根据权利要求1所述包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体，其特征在于：所述第一金属层（3）和第二金属层（7）均为铜，且厚度均为2 ~ 4μm。4.根据权利要求1所述包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体，其特征在于：所述第一二氧化硅层（4）和第二二氧化硅层（8）的厚度均为40n...

【专利技术属性】
技术研发人员：高向东，李俊，王涛，陈正才，陈慧蓉，马慧红，
申请(专利权)人：无锡中微晶园电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32