一种双向TVS器件的Trench填充制造工艺制造技术

本发明专利技术涉及双向TVS器件技术领域，特别涉及一种双向TVS器件的Trench填充制造工艺。包括如下步骤：步骤一：提供高掺杂浓度的N型衬底以及在N型衬底上生长的P‑外延层；步骤二：在P‑外延层上AS离子注入，形成表面的N型离子注入区；步骤三：在N型离子注入区上进行硅Trench沟槽光刻和腐蚀，并延伸至N型衬底上，其Trench沟槽宽度为1μm，深度为10‑24μm；步骤四：在N型离子注入区表面和Trench沟槽侧壁上生长一层场氧化层FOX；步骤五：对Trench沟槽内继续进行多晶填充，直至将Trench沟槽口掩埋，且同时将N型离子注入区表面的场氧化层FOX覆盖，其覆盖的多晶膜层厚度为0.8μm。本发明专利技术是从缩短流通时间、降低产品工艺温度以及减少杂质缺陷而设计。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及双向tvs器件，特别涉及一种双向tvs器件的trench填充制造工艺。

技术介绍

1、tvs是一种用于电压瞬变、浪涌电流及esd防护的半导体器件，双向tvs因同时能够提供正、反两个方向的防护被广泛的应用在各类电子产品中，以提高产品的安全性和可靠性。目前双向tvs产品的trench结构是采用二氧化硅工艺进行填充，如图1所示为双向tvs产品结构，trench结构是需要采用二氧化硅介质进行填充，它的作用实现双向tvs产品有源区进行隔离，降低产品漏电流，实现隔离，但二氧化硅工艺时间长、工艺温度高，影响产品流通进度和注入浓度分布。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种双向tvs器件的trench填充制造工艺，本专利技术是从缩短流通时间、降低产品工艺温度以及减少杂质缺陷而设计。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种双向tvs器件的trench填充制造工艺，包括如下步骤：

3、步骤一：提供高掺杂浓度的n型衬底以及在n型衬底上生长的p-外延层；>

4、步骤二：本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双向TVS器件的Trench填充制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种双向TVS器件的Trench填充制造工艺，其特征在于，所述高掺杂浓度的N型衬底为<100>晶向，其掺杂As离子，电阻率为0.0024ohm.cm～0.004ohm.cm，厚度为625μm。

3.如权利要求1所述的一种双向TVS器件的Trench填充制造工艺，其特征在于，所述P-外延层电阻率为0.001ohm.cm～0.04ohm.cm，厚度为3μm～20μm。

4.如权利要求1所述的一种双向TVS器件的Trench填充制造工艺，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种双向tvs器件的trench填充制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种双向tvs器件的trench填充制造工艺，其特征在于，所述高掺杂浓度的n型衬底为<100>晶向，其掺杂as离子，电阻率为0.0024ohm.cm～0.004ohm.cm，厚度为625μm。

3.如权利要求1所述的一种双向tvs器件的trench填充制造工艺，其特征在于，所述p-外延层电阻率为0.001ohm.cm～0.04ohm.cm，厚度为3μm...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄龙，彭时秋，王涛，张可可，孙建洁，吴建伟，
申请(专利权)人：无锡中微晶园电子有限公司，
类型：发明
国别省市：