【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体分立器件，特别涉及一种稳压二极管的新型制备方法。
技术介绍
1、稳压二极管是一种用于稳定电压的pn结二极管，当加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时，发生隧道击穿或雪崩击穿，反向电流迅速增加，但是反向电压几乎不变。
2、目前比较常用的稳压二极管制备方法，通过多次光罩定义出p-区、nwell区、p+plus区、接触孔和电极等不同的功能区域，一般需要多次光刻及扩散过程，生产效率低，成本高。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种稳压二极管的新型制备方法，以解决
技术介绍
中的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种稳压二极管的新型制备方法，包括：
3、提供衬底，在衬底的正面依次形成外延层、p-区和介质层；
4、在所述外延层及p-区的正面通过光罩定义出n well物理区域，再通过高能注入形成n well区；
5、在所述外延层、p-区及n well区通过自对准腐蚀定义出p+plus物理区域，再通过离子注入形成p+plus区；
6、所述p-区、所述n well区和所述p+plus区进行同步扩散；
7、在所述p+plus区的表面通过金属布线实现p+plus区引出正面电极，形成二极管阳极；
8、在衬底的背面通过减薄、金属淀积引出背面电极，形成二极管阴极。
9、在一种实施方式中，所述衬底使用n型硅材料，其电阻率为0.002～0.006ohm.cm，掺杂元
10、在一种实施方式中，所述外延层使用n型硅材料，其电阻率介于0.1-1.0ohm.cm，掺杂元素为砷。
11、在一种实施方式中，所述p-区通过普注硼形成，注入元素为硼，注入剂量为5.0e11-5.0e13，注入能量为20kev-50kev。
12、在一种实施方式中，所述介质层为薄氧sio2氧化层或者lpcvd淀积的lpteos，若为薄氧sio2，则其厚度为10nm-40nm，若为lpteos，则其厚度为1000nm-1500nm。
13、在一种实施方式中，所述n well区通过砷或磷高能注入形成，注入剂量为5.0e12-1.0e14，注入能量为200kev-800kev。
14、在一种实施方式中，所述p+plus区通过bf2注入形成，注入剂量为1.0e15-2.0e16，能量60kev-90kev。
15、在一种实施方式中，所述同步扩散通过炉管高温进行，扩散温度在900℃-1200℃。
16、在一种实施方式中，所述金属为导电材料，使用alsicu或者al，与半导体接触界面预淀积ti或者ti/tin，金属厚度介于2-5um。
17、本专利技术提供的一种稳压二极管的新型制备方法，通过p-区普注、nwell区和p+plus区自对准腐蚀、p-区和n well及p+plus区同步扩散等方式，精简制备流程，仅需两次光刻和一次扩散过程，可在保障产品性能的同时大幅度缩短生产流通时间，提升生产效率。
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1.一种稳压二极管的新型制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的稳压二极管的新型制备方法，其特征在于，所述衬底使用N型硅材料，其电阻率为0.002～0.006ohm.cm，掺杂元素为磷。
3.如权利要求1所述的稳压二极管的新型制备方法，其特征在于，所述外延层使用N型硅材料，其电阻率介于0.1-1.0ohm.cm，掺杂元素为砷。
4.如权利要求1所述的稳压二极管的新型制备方法，其特征在于，所述P-区通过普注硼形成，注入元素为硼，注入剂量为5.0E11-5.0E13，注入能量为20KeV-50KeV。
5.如权利要求1所述的稳压二极管的新型制备方法，其特征在于，所述介质层为薄氧SiO2氧化层或者LPCVD淀积的LPTEOS，若为薄氧SiO2，则其厚度为10nm-40nm，若为LPTEOS，则其厚度为1000nm-1500nm。
6.如权利要求1所述的稳压二极管的新型制备方法，其特征在于，所述N well区通过砷或磷高能注入形成，注入剂量为5.0E12-1.0E14，注入能量为200KeV-800KeV。
<...【技术特征摘要】
1.一种稳压二极管的新型制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的稳压二极管的新型制备方法，其特征在于，所述衬底使用n型硅材料，其电阻率为0.002～0.006ohm.cm，掺杂元素为磷。
3.如权利要求1所述的稳压二极管的新型制备方法，其特征在于，所述外延层使用n型硅材料，其电阻率介于0.1-1.0ohm.cm，掺杂元素为砷。
4.如权利要求1所述的稳压二极管的新型制备方法，其特征在于，所述p-区通过普注硼形成，注入元素为硼，注入剂量为5.0e11-5.0e13，注入能量为20kev-50kev。
5.如权利要求1所述的稳压二极管的新型制备方法，其特征在于，所述介质层为薄氧sio2氧化层或者lpcvd淀积的lpteos，若为薄氧sio2，则其厚度为10nm-40nm，若为lp...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡高康，彭时秋，黄龙，林丽，王涛，吴建伟，
申请(专利权)人：无锡中微晶园电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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