【技术实现步骤摘要】
本技术是有关于一种半导体装置。所述半导体装置用于对流体样本中的微型目标进行侦测。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit,ic)行业已经历指数级增长。ic材料及设计的技术进步已生成几代ic,其中每一代相较于上一代具有更小且更复杂的电路。在ic演进过程中,功能密度(即,每芯片面积的内连装置的数目)大体而言已增大,而几何大小(即,可使用制作工艺形成的最小组件(或线))已减小。此种按比例缩小工艺大体而言通过提高生产效率及降低相关联的成本来提供益处。
2、随着半导体装置大小的缩小及复杂度的增大,半导体装置可用于各种各样的应用中。该些应用可包括生命科学应用,生命科学应用可能属于医疗诊断或环境监测应用。举例而言,可在装置中实施半导体电路系统,以测试某些类型的微型目标(可包括离子、核酸、极化分子、抗原、抗体、酶、细胞、蛋白质、病毒或细菌)的存在。然而,传统测试装置中的半导体电路系统可能无法提供强健的参考电压。因此,传统测试装置的讯杂比可能是次佳的。此外,传统测试装置可能难以容易地区分不同类型的微型目标。因此,尽管传统测试装置大体而言已足以满足其预期目的,但传统测试装置尚未在所有态样中均完全令人满意。
技术实现思路
1、在本技术的一些实施例中,是有关于一种半导体装置。所述半导体装置包括基底,基底具有第一侧及第二侧。第一侧与第二侧彼此垂直地相对。感测晶体管至少部分地设置于基底的第一侧之上。多个电压参考晶体管至少部分地设置于基底的第一侧之上。电压参考晶体管设置于
2、在本技术的一些实施例中,是有关于一种半导体装置。所述半导体装置包括基底,基底具有第一侧及第二侧。第一侧与第二侧彼此垂直地相对。感测晶体管至少部分设置于基底的第一侧之上。电压参考晶体管至少部分地设置于基底的第一侧之上。在俯视图中,电压参考晶体管以360度在圆周方向上环绕感测晶体管。电压参考晶体管被配置成提供参考电压。感测膜设置于基底的第二侧之上。图案化结构设置于基底的第二侧之上。所述结构对暴露出感测膜的一部分的开口进行界定。开口被配置成收集含有一个或多个预定义微型目标的流体样本。感测晶体管被配置成侦测所述一个或多个预定义微型目标。
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1.一种半导体装置,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中:
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述一个或多个开口包括多个开口,且其中所述多个开口中的每一者与所述感测晶体管或所述多个电压参考晶体管中的相应一者垂直地对准。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中在俯视图中,所述多个电压参考晶体管以360度共同包围所述感测晶体管。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
8.一种半导体装置,包括:
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述开口在所述俯视图中具有类椭圆形状或圆圈形状。
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中:
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述一个或多个开口包括多个开口,且其中所述多个开口中的每一者与所述感测晶体管或所述多个电压参考晶体管中的相应一者垂直地对准。
5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:李维,姜慧如,刘佩雯,苏哿暐,程冠伦,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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