【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，在单一芯片中集成的半导体器件的数量不断增多，在进行集成电路设计时，通常要使用若干相同电学参数的半导体器件。例如，静态随机存储器(SRAM)作为挥发性存储器中的一员，具有高速度、低功耗与标准工艺相兼容等优点，广泛应用于PC、个人通信、消费电子产品(智能卡、数码相机、多媒体播放器)等领域。特别是，高速同步SRAM用于诸如工作站等超高速缓存器的应用，超高速缓存为再利用的数据或指令提供高速的存储。在设计静态随机存储器(SRAM)的存储单元时，需要有若干相同电学参数的MOS晶体管，然而，在SRAM器件设计和生产过程中，由于不确定、随机误差、梯度误差等原因，一些设计时完全相同的MOS晶体管在生产后却存在误差，即名义上相同的MOS晶体管的电学参数常常会发生漂移，造成原本应相同的MOS晶体管的电学参数失配(mismatch)，即匹配特性下降，从而会引起SRAM存储速度变缓、功耗增加、时钟混乱等问题。其中，造成这种晶体管电学参数失配的具体原因很多，其中主要包括:器件附近的图案密度的高低不一致而...
【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底的各个有源区表面上依次形成栅介质层、栅极以及围绕所述栅极的侧墙；在栅极两侧的有源区中形成源极和漏极；采用纯碳离子或者锗碳混合离子或者硅离子对所述栅极、源极和漏极的表面进行预非晶化处理；采用金属硅化物工艺处理所述栅极、源极和漏极表面形成金属硅化物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张冬明，刘巍，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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