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本发明提供一种半导体器件的制作方法，在栅极、源极和漏极表面形成金属硅化物之前，采用纯碳离子或者锗碳离子或者硅离子对所述栅极、源极和漏极的表面进行预非晶化处理，以减小器件的阈值电压的失配，来提高器件性能。...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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