形成掺杂剂分布图的方法技术

技术编号:9079817 阅读:217 留言:0更新日期:2013-08-22 21:01
本发明专利技术涉及使用磷作为掺杂剂形成从片状的半导体器件的表面开始的掺杂剂分布图的方法,该方法是通过将磷掺杂剂源施加到表面上,利用表面上存在的掺杂剂源形成第一掺杂剂分布图,除去掺杂剂源,和形成与第一掺杂剂分布图相比具有更大深度的第二掺杂剂分布图。为了形成优化的掺杂剂分布图,在形成第一掺杂剂分布图之后,除去掺杂剂源和除去选择性地在表面上或表面中由SixPy相和SixPyOz相结晶的沉淀物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:G布伦丁J霍策尔A拉霍维奇B舒姆
申请(专利权)人:肖特太阳能股份公司
类型:
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1