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本发明涉及使用磷作为掺杂剂形成从片状的半导体器件的表面开始的掺杂剂分布图的方法，该方法是通过将磷掺杂剂源施加到表面上，利用表面上存在的掺杂剂源形成第一掺杂剂分布图，除去掺杂剂源，和形成与第一掺杂剂分布图相比具有更大深度的第二掺杂剂分布图。为...
该专利属于肖特太阳能股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过肖特太阳能股份公司授权不得商用。

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