【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制造方法，具体而言涉及一种基于栅极替代工艺的半导体器件的制造方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中的栅极金属替代工艺中，通常选用多晶硅作为假栅，当器件的源极和漏极制备完后，利用干法刻蚀或者湿法刻蚀技术将假栅去掉，之后在栅沟槽内填入金属填充物作为器件的金属栅材料。但是，随着器件特征尺寸向45纳米甚至更精细的结构发展，对栅极金属替代工艺，尤其是金属介质的填充，提出了更高的要求，其中一个具有挑战性的难题就是金属在各个栅沟槽中难以均匀无孔的填充。在金属填充过程中，空洞现象时有发生，这些空洞位于栅沟槽填充物中，每一个栅沟槽都可能有空洞产生。图1A-1C示出了现有技术中在栅沟槽内填入金属栅材料的方法。如图1A所示，半导体衬底100上形成栅沟槽形101以后，在其上沉积一个湿金属材料层102，所示金属材料可以为Ti或者Co等，然后如图1B所示，通过物理气相沉积(PVD)方法，使用铝金属对栅沟槽进行填充时，在栅沟槽左上角和右上角会出现突起103和104，并且随着填充的进行，左右上角的突起103和104会连接到一起，并阻碍铝金属进一步填充入栅沟槽101...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有用于形成金属栅极结构的栅沟槽；对所述栅沟槽执行第一金属沉积步骤；对所述栅沟槽执行电化学反应去除所述栅沟槽左上角和右上角的突起的步骤，以扩大所述栅沟槽的开口尺寸；对所述栅沟槽执行第二金属沉积步骤。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括: 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有用于形成金属栅极结构的栅沟槽； 对所述栅沟槽执行第一金属沉积步骤； 对所述栅沟槽执行电化学反应去除所述栅沟槽左上角和右上角的突起的步骤，以扩大所述栅沟槽的开口尺寸； 对所述栅沟槽执行第二金属沉积步骤。2.根据权利要求1所述的方法，还包括多次重复执行所述第一金属沉积步骤、所述执行电化学反应去除所述栅沟槽左上角和右上角的突起的步骤、第二金属沉积步骤。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电化学反应中，所使用的电解液的阴离子为以下两种离子之一或者其组合:氯离子、氟离子。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电化学反应中，所使用的电解液包括以下两种有机物之一或者其组合:甲醇和丙三醇。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电化学反应中，所述甲醇的体积为800-900 毫升。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电化学反应中，所述丙三醇的体积为126-300 毫升。...
【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，平延磊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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