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一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有用于形成金属栅极结构的栅沟槽；对所述栅沟槽执行第一金属沉积步骤；对所述栅沟槽执行电化学反应去除所述栅沟槽左上角和右上角的突起的步骤，以扩大所述栅沟槽的开口尺寸；对所述栅...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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