记忆体阵列的擦除方法技术

本发明专利技术是有关于一种记忆体阵列的擦除方法，此记忆体阵列包括多个记忆胞串，每个记忆胞串包括连接至多条字元线的多个记忆胞。此记忆体阵列的擦除方法包括下列步骤。提供第一电压至记忆体阵列的基底。提供第二电压至选定记忆胞的一字元线，并提供多个导通电压至其余的字元线。以及，分别提供第三电压与第四电压至选定记忆胞的第一源极/漏极区与第二源极/漏极区，以利用带对带热空穴注入法来擦除选定记忆胞，其中第三电压不等于第四电压。藉此本发明专利技术利用记忆胞的自我升压或以直接施加电压的方式，通过带对带热空穴注入法实现了对特定记忆胞串内的选定记忆胞的擦除，使其他记忆胞不会受到擦除操作的影响，同时降低了擦除方法中所施加的操作电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种记忆体阵列的操作方法，特别是涉及一种在记忆体阵列中针对选定记忆胞的擦除方法。
技术介绍
半导体记忆体可分为挥发性记忆体与非挥发性记忆体，而非挥发性记忆体即使在电源关闭时也能够储存资料，例如快闪记忆体(Flash Memory)。快闪记忆体现已经发展为高密度储存的应用，像是数字相机的记忆卡、MP播放器的记忆体、以及通用串行总线(USB) 的记忆装置。另外，快闪记忆体的应用也延伸到个人电脑的储存装置上，像是固态硬盘(SSD)。因此，对于快闪记忆体而言，未来还有许多可预期的市场领域。图I是NAND型快闪记忆体阵列100的示意图。请参阅图I所示，NAND型快闪记忆体阵列100包括多个记忆胞串，例如记忆胞串150_1 150_2。每个记忆胞串包括有相互串联的选择晶体管、多个记忆胞及接地晶体管。每个记忆胞分别连结至对应的字元线。选择晶体管与接地晶体管的栅极端分别耦接至串选择线SSL与接地选择线GSL，以分别通过串选择线SSL及接地选择线GSL来施加电压至选择晶体管与接地晶体管的栅极端。例如，记忆胞串150_1包括选择晶体管SW11、记忆胞101 132及接地晶体管SW12，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种记忆体阵列的擦除方法，其特征在于其中该记忆体阵列包括多个记忆胞串，每一该些记忆胞串包括连接至多条字元线的多个记忆胞，该记忆体阵列的擦除方法包括以下步骤：提供一第一电压至该记忆体阵列的一基底；提供一第二电压至一选定记忆胞的一字元线，并提供多个导通电压至其余的字元线；以及分别提供一第三电压与一第四电压至该选定记忆胞的第一源极/漏极区与第二源极/漏极区，以利用带对带热空穴注入法来擦除该选定记忆胞，其中该第三电压不等于该第四电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黃竣祥，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：