本发明专利技术公开了一种金属氧化物电阻存储单元及其低温光化学处理的制备方法，属新型非易失性存储器件技术领域。该电阻存储单元由导电底电极、InxGayZnzO薄膜和导电顶电极构成。该存储单元的制备方法是用真空镀膜技术在基底与InxGayZnzO薄膜上分别制备导电底电极与导电顶电极。InxGayZnzO薄膜的制备采用化学溶液沉积法，然后将InxGayZnzO前驱膜置于紫外光灯下进行室温光照的光化学处理。本发明专利技术中InxGayZnzO电阻存储单元在电压扫描模式下表现出优异的电阻转变特性，该器件电阻转变特性具有良好的耐久性以及转变电压的稳定性，这些优异特性表明本发明专利技术在非易失性存储器件技术领域具有潜在的应用价值。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于InxGayZnzO薄膜的电阻存储单元，其特征在于由导电底电极、电阻转变薄膜层和导电顶电极构成，电阻转变薄膜层为InxGayZnzO薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：包定华，胡伟，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：
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