一种非易失存储器的擦除方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种非易失存储器的擦除方法，包括：确定非易失存储器中欲擦除的两个相邻存储块；并行擦除所述两个存储块。本发明专利技术可以节省进行擦除操作的时间，提高擦除速度和效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储器
，特别是涉及一种非易失存储器器件的擦除方 法，以及一种非易失存储器器件的擦除装置。
技术介绍
随着各种电子装置及嵌入式系统的迅速发展和广泛应用，如计算机、个人数字助 理、移动电话、数字相机等，大量需要一种能多次编程，容量大，读写、擦除快捷、方便、简单， 外围器件少，价格低廉的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器 件。非易失性存储器件就是在这种背景需求下应运而生的。一个非易失存储器通常也是一 个MOS管，拥有一个源极(source)，一个漏极(drain)，一个门极(gate)，另外还有一个浮动 栅极(floating gate)。可见，它的构造和一般的MOS管略有不同，多了一个浮动栅极，该浮 动栅极被绝缘体隔绝于其他部分。以闪存(Flash Memory)为例，它是一种基于半导体的存储器，具有系统掉电后仍 可保留内部信息、在线擦写等功能特点，闪存的擦除方法是在源极加正电压，利用浮动栅 极与源极之间的隧道效应，把注入至浮动栅极的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正 电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，闪存不能按字节擦除，而只能以全片(Flash chip)或分块(block)的形式擦除。一个闪存中包括若干个存储块(block)，现有技术中，当对整个Flash chip进行 擦除操作时，是以block为单位逐个进行擦除。例如，某个Flash包括A、B、C三个block， 完成整个Flash chip的擦除操作则需要先对A block进行擦除，然后对B block进行 擦除，最后对C block进行擦除。，并且，这种擦除是针对每个存储单元(cell)进行的， 即需要针对block中的每个cell执行预编程(pre-program)、擦除(erase)及软件编程 (post-program)等的步骤才能得以实现，显然这种擦除方式比较耗费时间。再者，由于实际 中一个闪存中所包括的存储块较多，闪存的容量越来越大，并且为减少Flash的擦写次数， 现有技术也越来越趋向于采用较小的存储块来作为擦除单元，在这种情况下，一个闪存中 的存储块将更多，采用这种以block为单位逐个擦除的方式对整个Flash chip进行擦除， 不仅耗时，而且速度较慢，擦除效率较为低下。因此，目前需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是如何能够创新地 提出一种非易失存储器的擦除机制，用以节省进行擦除操作的时间，提高擦除速度和效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种非易失存储器器件的擦除方法，用以节省 进行擦除操作的时间，提高擦除速度和效率。本专利技术所要解决的另一个技术问题是提供一种非易失存储器器件的擦除装置，用 以保证上述方法在实际中的应用。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例公开了一种非易失存储器器件的擦除方法，包括确定非易失存储器中欲擦除的两个相邻存储块；并行擦除所述两个存储块。优选的，所述并行擦除的步骤包括 对所述两个存储块并行地进行预编程操作；对所述两个存储块并行地进行擦除操作；针对各个存储块串行地验证擦除是否成功，若否，则对擦除不成功的存储块重新 进行擦除操作；在所述两个存储块擦除成功后，对所述两个存储块进行并行地软编程操作。优选的，所述并行擦除的步骤包括对所述两个存储块并行地进行预编程操作；对所述两个存储块并行地进行擦除操作；对所述两个存储块并行地验证擦除是否成功，若否，则对擦除不成功的存储块重 新进行擦除操作；在所述两个存储块擦除成功后，对所述两个存储块进行并行地软编程操作。优选的，所述预编程操作进一步包括识别存储块中需要进行预编程操作的存储单元；针对所述存储单元进行预编程操作；所述软编程操作进一步包括识别存储块中需要进行软编程操作的存储单元；针对所述存储单元进行软编程操作。本专利技术实施例还公开了一种非易失存储器的擦除方法，包括确定非易失存储器中欲擦除的两个扇区，所述两个扇区位于同一存储块中；并行擦除所述两个扇区。优选的，所述并行擦除的步骤包括对所述两个扇区并行地进行预编程操作；对所述两个扇区并行地进行擦除操作；针对各个扇区串行地验证擦除是否成功，若否，则对擦除不成功的扇区重新进行 擦除操作；在所述两个扇区擦除成功后，对所述两个扇区进行并行地软编程操作。优选的，所述并行擦除的步骤包括对所述两个扇区并行地进行预编程操作；对所述两个扇区并行地进行擦除操作；对所述两个扇区并行地验证擦除是否成功，若否，则对擦除不成功的扇区重新进 行擦除操作；在所述两个扇区擦除成功后，对所述两个扇区进行并行地软编程操作。本专利技术实施例还公开了一种非易失存储器的擦除装置，包括内部电源模块，用于同时对两个存储块进行供电，以及进行两个存储块的选通控 制、电源切换控制和操作状态控制；存储块确定模块，用于确定非易失存储器中欲擦除的两个相邻存储块；存储块擦除模块，用于并行擦除所述两个存储块。优选的，所述存储块擦除模块包括存储块预编程子模块，用于对所述两个存储块并行地进行预编程操作；存储块擦除子模块，用于对所述两个存储块并行地进行擦除操作；存储块擦除验证子模块，用于针对各个存储块串行地验证擦除是否成功，若则，则触发存储块软编程子模块；若否，则触发存储块重新擦除子模块；存储块重新擦除子模块，用于对擦除不成功的存储块重新进行擦除操作；存储块软编程子模块，用于在所述两个存储块擦除成功后，对所述两个存储块进行并行地软编程操作。本专利技术实施例还公开了一种非易失存储器的擦除装置，包括内部电源模块，用于进行两个扇区的选通控制和操作状态控制；扇区确定模块，用于确定非易失存储器中欲擦除的两个扇区，所述两个扇区位于同一存储块中；扇区擦除模块，用于并行擦除所述两个扇区。优选的，所述扇区擦除模块包括扇区预编程子模块，用于对所述两个扇区并行地进行预编程操作；扇区擦除子模块，用于对所述两个扇区并行地进行擦除操作；扇区擦除验证子模块，用于针对各个扇区串行地验证擦除是否成功，若则，则触发扇区软编程子模块；若否，则触发扇区重新擦除子模块；扇区重新擦除子模块，用于对擦除不成功的扇区重新进行擦除操作；扇区软编程子模块，用于在所述两个扇区擦除成功后，对所述两个扇区进行并行地软编程操作。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点本专利技术通过采用两个block为单位，在对整个Flash chip进行擦除操作时，例如， 某个Flash包括A、B、C、D四个block，完成整个Flash chip的擦除操作则需要先对A block 和B block进行擦除，然后对Cblock和Dblock进行擦除。由于在同时对两个block进 行擦除的过程中，预编程，擦除，软编程这些操作都是并行的，所以本专利技术相较于采用现有 技术采用单个block的操作来说，完成整个chip的erase节省了较多的时间。再者，本专利技术可以串行进行两个存储块的擦除验证操作，使两个存储块共用一套 地址计数器，擦除验证操作在整个擦除操作中所占的时间比例不大，在这种情况下，还可以 进一步减小存储器的面积。附图说明图1是本专利技术的一种非易失存储器的擦除方法实施例1的流程图；图2是本专利技术的一种非易失存储器的擦除方法实施例2的流程图；图3是本专利技术的一种非易失存储器的擦除方法实施例3的流程图；图4是本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失存储器的擦除方法，其特征在于，包括：　　确定非易失存储器中欲擦除的两个相邻存储块；　　并行擦除所述两个存储块。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘荣华，
申请(专利权)人：北京芯技佳易微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]