本发明提供了一种伪静态存储器，包括：读操作缓冲器及读操作标志寄存器，写操作缓冲器及写操作标志寄存器，比较器，用于比较当前读操作所针对的存储器组地址，与当前写操作缓冲器中缓存的第二数据需写入的存储器组地址，并输出比较结果信号；控制电路，用...

本发明提供了一种伪静态存储器，包括第一、第二寄存器组、写操作缓冲器及写操作标志寄存器，比较器，用于比较当前写操作所针对的存储器组地址，与第二寄存器组中的存储器组地址，并输出比较结果信号；控制电路，包括第一控制子模块，用于在当前时钟周期写...

本发明公开了一种非易失存储器的擦除方法，包括：确定非易失存储器中欲擦除的两个相邻存储块；并行擦除所述两个存储块。本发明可以节省进行擦除操作的时间，提高擦除速度和效率。

本发明公开了一种对闪存进行数据编程的方法，包括：步骤ａ、数据输入步骤；步骤ｂ、验证整个当前页，获取其中需要进行编程的字节，并记录至相应的缓冲存储器；如果在当前页中没有需要进行编程的字节，则结束对当前页的数据编程，进入下一页；步骤ｃ、依据...

本发明公开了一种非易失存储器的擦除方法，包括：对目标擦除扇区进行预编程操作，同时启动针对与所述目标擦除扇区位于同一存储块中的非擦除扇区的刷新操作，所述刷新操作包括确定非擦除扇区中易受干扰的存储单元的步骤，以及，对所述易受干扰的存储单元进...

本发明公开了一种用于ＭＬＣ闪存的灵敏放大器和位线快速充电电路，所述位线快速充电电路，用在多层单元闪存的灵敏放大器中，该电路包括与所述阻抗器件并联的ＺＮＭＯＳ晶体管Ｚ３，其栅极与所述反相放大器的输出端相连。本发明通过该ＺＮＭＯＳ晶体管，以...

本发明公开了一种用于ＭＬＣ闪存的灵敏放大器和电流电压转换电路。其中，电流电压转换电路中用于实现电流电压的转换的阻抗器件包括并联的ＰＭＯＳ晶体管和ＺＮＭＯＳ晶体管。本发明对现有的Ｉ－Ｖ转换电阻器件进行了专门的改进，采用ＺＮＭＯＳ晶体管和Ｐ...

本发明公开了一种逐位逼近锁相环ＤＬＬ电路及调整输入时钟信号的方法，其中，该电路包括：鉴相器、数字控制延时线、逐位逼近式ＳＡＲ控制模块及时序控制模块，其中，时序控制模块用于控制ＳＡＲ控制模块，对数字控制延时线的延时信号的延时时间从最低位开...

本发明为一种防止信号在基准电信号附近振荡的方法，装置以及振荡器，其中所述的防止信号在基准电信号附近振荡装置，其包括：一信号发生单元，其根据逻辑值调整输出目标信号大小；一比较单元，其接收所述的目标信号，并将其与一基准电信号进行比较，输出代...

一种负电压电平切换电路，包括：２个插入Ｎ管；２个上拉Ｐ管，其源极连接到正向电压Ｖｄｄ，漏极分别连接到插入Ｎ管的漏极；２个正反馈Ｎ管，其源极连接到负电压Ｖｎｅｇ，漏极分别连接到２个插入Ｎ管的源极；以第二插入Ｎ管和第二上拉Ｐ管之间的节点为输...

本发明公开了半晶体管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，所述半晶体管包括：由多晶硅层、栅氧层、轻掺杂漏区、离子注入区形成的可编程电容；由离子注入区与重掺杂区形成的二极管；所述可编程电容与所述二极管串联连接；其中，所述离子注入区...

本发明公开了半晶体管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，所述半晶体管包括：由多晶硅层、栅氧层、离子注入区形成的可编程电容；由离子注入区与重掺杂区形成的二极管；所述可编程电容与所述二极管串联连接；其中，所述离子注入区位于紧邻的绝...

本发明公开了半晶体管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，所述半晶体管包括：由多晶硅层、栅氧层、离子注入区形成的可编程电容；由离子注入区和重掺杂区形成的二极管；所述可编程电容和所述二极管串联连接；其中，所述多晶硅层与字线相连接，...

本发明公开了半晶体管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，所述半晶体管包括：由多晶硅层、栅氧层、轻掺杂漏区、离子注入区形成的可编程电容；由离子注入区与重掺杂区形成的二极管；所述可编程电容与所述二极管串联连接；其中，所述多晶硅层与...

本发明为一种频率随温度变化的振荡器，其包括：一可变频率振荡器，用以接收频率控制信号，并输出与之相对应的时钟信号；还包括：一应用环境模拟单元，用以检测应用环境温度变化并输出一相应的温度特征电信号；一频率调整控制单元，读取所述的温度特征电信...

本发明为一种数字控制的变频振荡器，其包括：一振荡器本体，用以根据向其输入的控制电流的大小，产生一确定频率的时钟信号输出；还包括：一电流控制电路，其接受数字控制信号，并向所述的振荡器本体输出与所述数字控制信号所表征的频率相对应的所述控制电流。

本发明公开了一种延迟锁相环ＤＬＬ电路及调整输出时钟信号相位的方法，该电路包括基本ＤＬＬ电路、延迟线二和运算单元，其中，基本ＤＬＬ电路，用于对输入时钟信号锁定后，发送调整信号给运算单元；运算单元，用于接收延迟控制字和基本ＤＬＬ电路发送的调...

一种闭环控制电荷泵电路，包括基本电荷泵电路与控制回路，所述控制回路包括依次连接的下述电路：采样电路，其连接到基本电荷泵的电压输出端Ｖｏｕｔ，用于对Ｖｏｕｔ的电压值进行采样，并按预定函数映射关系ｆ生成与Ｖｏｕｔ的电压值相应的采样电压值Ｖ１...

本发明提供一种非易失性存储器及其数据保护方法。所述非易失性存储器包括，不可见的第一存储区、可见的第二存储区、控制逻辑模块和保护码设置模块，第一存储区中设置有至少一个标志位，每个标志位用于标识对应的保护码是否已经设置，保护码用于指示第二存...

本发明公开了一种逐位逼近延迟锁相环电路及调整时钟信号的方法，设置延迟线控制信号选择模块，当在逐位逼近延迟锁相环电路将相位锁定后，出现输入时钟信号和输出时钟信号存在相位偏差时，根据比较信号产生延迟调整信号对输入时钟信号进行延时调整，直到检...