本发明公开了一种适用于随机存储器的灵敏放大器，包括，放大电路、隔离电路、负载电阻电路、预充电电路和选择电路，其中：所述放大电路用于对位线ｂ１，ｂ１＿ｂ上的信号进行放大；所述隔离电路用于在对存储器进行读、写或者刷新操作时，接通隔离线ａ０，...

本发明公开了一种非易失性存储器及其设计方法，包括一种非易失性存储器，包括源极、漏极、浮栅和控制栅，其中，所述浮栅包括二氧化硅层、多晶硅层和第一金属层的第一部分；其中，所述多晶硅层通过接触孔与所述第一金属层的第一部分相连接；所述控制栅包括...

本发明提供了一种存储单元的数据读取方法和一种用于多层单元闪存的灵敏放大器。所述方法包括：一次读取，对存储单元和第一参考单元施加读电压，并将存储单元和第一参考单元产生的电流转换为电压；比较二者的电压，若存满足预置条件，则判断出存储单元的数...

本发明公开了一种具有ＥＣＣ电路的非挥发存储器及其读写数据的方法，存储器内部以ＥＣＣ码字为单位进行读写操作。其中写入数据的方法包括：获得外部输入数据的首地址及末地址并缓存外部输入数据；若外部输入数据所在的ＥＣＣ数据组有部分字节不需要被替换...

本发明公开了一种具有ＥＣＣ电路的非挥发存储器及其读写方法，该存储器的外部接口以字节为单位进行数据传输，在存储器内部以ＥＣＣ码字为单位进行读写。其中写入数据的方法包括：获得外部输入数据的首地址及末地址并缓存外部输入数据；若外部输入数据所在...

本发明公开了双二极管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，双二极管结构的一次性可编程存储器单元包括：第一二极管，由第一掺杂区与离子注入区形成；第二二极管，由离子注入区与第二掺杂区形成；离子注入区位于与其紧邻的绝缘层上；第一二极管...

本发明公开了双二极管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，双二极管结构的一次性可编程存储器单元包括：第一二极管，由第一掺杂区与离子注入区形成；第二二极管，由离子注入区与阱形成；第一二极管与第二二极管串联连接；第一二极管与字线相连...

本发明公开了双二极管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，双二极管结构的一次性可编程存储器单元包括：第一二极管，由第一掺杂区与离子注入区形成；第二二极管，由离子注入区与第二掺杂区形成；第一二极管与第二二极管串联连接；第一二极管与...

本发明公开了一种非易失存储器的擦除方法，包括：目标选定步骤：选定非易失存储器中欲擦除的２ｎ个相邻存储块，其中ｎ为自然数；预编程操作步骤：对所述２ｎ个相邻存储块分组进行预编程操作；擦除步骤：同时擦除所述２ｎ个相邻存储块；擦除校验步骤：分组...

本发明公开了一种非易失存储器的擦除方法，包括：当执行完擦除步骤后，一旦通过第一软编程校验步骤发现目标擦除块中，存在处于过擦除状态的存储单元，则触发第一软编程步骤收敛处于过擦除状态的存储单元的阈值电压的分布范围；当通过擦除校验步骤校验目标...

本发明公开了一种非挥发性存储器的仿真验证方法，包括：获取仿真存储器，所述仿真存储器具有针对擦除步骤的内部时钟参数，所述内部时钟参数被设置为低于正常值；生成测试代码，依据所述测试代码对存储器的功能进行仿真验证，所述测试代码包括擦除代码和擦...

本发明公开了一种复位电路，包括接在电源与地之间的ＭＯＳ管支路，以及，通过分压连接点与所述ＭＯＳ管支路连接的反相器支路；所述反相器支路包括反相器，用于受低于其翻转电压的电压信号触发，产生复位信号；所述复位电路还包括：与所述ＭＯＳ管支路连接...

本发明公开了一种保证存储器存储的数据安全读取的系统及方法，包括存储器和主芯片，其中，主芯片，用于产生随机数种子，译码后，发送给存储器；采用产生的随机数种子对产生的随机数搅动后得到的伪随机数，对从存储器接收的加密后的数据明文解密，得到数据...

本发明提供了一种浮栅结构的非挥发性存储器及其制造方法、编程读取方法，所述非挥发性存储器中的存储单元包括：源极、漏极和浮栅；所述漏极包括用于在漏极内部形成ＰＮ结的反型离子区；所述源极与位线相连，所述漏极的反型离子区与字线相连。本发明既不需...

本发明提供了一种调整参考单元阈值参数的方法，用在多个存储器芯片的并行测试过程中，包括以下步骤：对测试机台上的所有待测试芯片的参考单元进行擦除操作；测量各个待测试芯片的参考单元的电流，如果符合第一预置条件，则进入下一步骤，否则，重新进行擦...

本发明提供了一种浮栅结构的非挥发性存储器，其中的存储单元包括：源极、漏极和浮栅；所述浮栅和漏极之间的耦合电容大于所述浮栅和源极之间的耦合电容；所述源极与位线相连，所述漏极与字线相连。本发明还提供了一种浮栅结构的非挥发性存储器的制造方法，...

本发明提供了一种存储器器件的版图绘制方法及装置，以解决现有的存储器单元（Ｃｅｌｌ）库由于图元数量庞大而影响版图拼接效率的问题。所述方法包括：将现有的内部电路相同但接口连线不同的多个Ｃｅｌｌ图元用一种不带连线的图元表示，并在这种图元上标识...

本发明提供了一种ＳＲＡＭ版图制作方法及装置，以解决目前的版图设计工具制作出的ＳＲＡＭ种类有限，无法满足设计要求的问题。所述方法对现有的图元库进行了改进，提供的存储块图元增加了字长支持的位数和容量，是图元库中的存储块图元类型更为丰富，因此...

负电压电平转换电路，包括：第一和第二反向晶体管对，每一反向晶体管对包括漏极相接、栅极互连的一Ｐ管和一Ｎ管，Ｐ管的源极连接正电压，Ｎ管的源极接地，第一反向晶体管对的栅极连接输入信号，漏极与第二反向晶体管对的栅极相连；第一和第二隔离晶体管对...

本发明公开了一种标准逻辑工艺上的负电压有效传输电路，包括：一个交替输出高电平和低电平时钟信号的时钟电路；一个输出低电压的低电压输出通道，其输入连接所述时钟电路输出，当所述时钟电路输出的时钟信号从高电平变成低电平时，触发该低电压输出通道导...