本发明专利技术提供了一种调整参考单元阈值参数的方法，用在多个存储器芯片的并行测试过程中，包括以下步骤：对测试机台上的所有待测试芯片的参考单元进行擦除操作；测量各个待测试芯片的参考单元的电流，如果符合第一预置条件，则进入下一步骤，否则，重新进行擦除操作；对各个待测试芯片的参考单元进行编程操作；如果某个被编程的参考单元的电流符合第二预置条件，则该参考单元调整完毕，将该芯片与测试机台断开；对未断开的待测试芯片继续执行编程操作，直至所有的待测试芯片都断开。由于本发明专利技术能真正实现并测，因此机台的整体测试时间被大大缩短，大大降低了测试成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片测试
，特别是涉及一种在存储器芯片测试过程中 调整参考单元阈值参数的方法，以及一种调整参考单元阈值参数的装置和一种测试系统。
技术介绍
为了验证存储器产品的正确性，在产品出厂前均会进行一连串的测试流程。这些 存储器产品可以包括非挥发性存储器产品(例如，快闪存储器Flash，或是可电除可编程只 读存储器EEPROM等)，也可以包括一次性可编程OTP类存储器。一般的测试流程可以包括产品接脚(pin)的断路/短路测试、逻辑功能测试、电擦 除特性测试(以判断该非挥发性存储器内的资料是否可被电擦除且再写入新资料)、程序 码测试(将写入该非挥发性存储器的程序码读出并与该写入程序码作对比，以判断该非挥 发性存储器的读写动作是否正确)等等。实际中，在进行上述的逻辑功能测试、电擦除特性 测试和程序码测试之前，还需要首先对待测试存储器芯片的参考单元的阈值电压进行精确 设定。以SLC(Single Layer Cell单比特存储单元)Flash memory为例，简单介绍其读 出原理对存储单元与参考单元施加相同的栅端、漏端电压，比较它们的漏端电流，如果存 储单元的电流比参考单元大，则定义为存“1”，反之，定义为存“0”。即对存储单元存“1”和 存“0”的界定，就是看存储单元的阈值电压比参考单元的阈值电压低或高。因此参考单元的阈值电压是存储数据的判定点，是整个Flash memory读出系统的 基础，需要在测试之前进行比较精确地设定。例如，设定参考单元的阈值目标为=Vgs = 5V，Vds = IV时，Ids = 45uA。其中，Vgs为 栅极和源极之间的电压降，Vds为漏极和源极之间的电压降，Ids为漏极和源极之间的电流。 参见图1，具体的测试流程为测量参考单元的IDS，如果在45士 IuA范围内，则认为该参考单 元的阈值电压设定已完成，可以进入下一参考单元的设定过程；如果不在该范围内，例如小 于44uA或者大于46uA，则说明该参考单元的阈值电压不符合要求，需要继续调整，例如，小 于44uA时需要对该参考单元执行擦除操作(Erase)，以降低阈值电压，提高Ids ；如果大于 46uA时则需要对该参考单元执行编程操作(Program)，以提高阈值电压，降低IDS。在芯片中某个参考单元阈值电压的设定流程中，需要反复根据测试结果确定下一 步所应该进行的擦除操作，或者编程操作以及编程的强度。当并测数较大时(例如现有 的测试机台通常会采取32个芯片并测)，由于各个芯片参考单元的不一致性，其具体调整 过程也会不一致，无法对同时并测的各个芯片采用相同的操作过程完成参考单元的阈值调 整。因此，现有技术通常串行地分别对每个被测芯片进行参考单元阈值调整，即一个一个的 芯片进行。这样的方案虽然可以解决各个存储器芯片在电性能上的个性化差异，但是却导致 了测试时间的延长。例如，如果平均调整一个芯片的参考单元需要2s，则32个芯片并测共 需约64s才能完成该项测试，然后才能进入逻辑功能等其他测试项目，造成测试时间大大加长，测试成本激增。总之，目前需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是如何能够降低多 个存储器芯片并测情况下的测试时间，尤其是降低参考单元阈值参数的调整时间。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种在存储器芯片测试过程中调整参考单元 阈值参数的方法，能够在多个芯片并测的情况下，大大缩短调整参考单元阈值参数的时间， 降低测试成本。相应的，本专利技术还提供了一种调整参考单元阈值参数的装置和一种应用该装置的 测试系统，能够帮助现有的测试机台用较少的测试时间完成对多个芯片参考单元阈值参数 的设定。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种调整参考单元阈值参数的方法，用在多个 存储器芯片的并行测试过程中，包括以下步骤对测试机台上的所有待测试芯片的参考单 元进行擦除操作；测量各个待测试芯片的参考单元的电流，如果符合第一预置条件，则进入 下一步骤，否则，重新进行擦除操作；对各个待测试芯片的参考单元进行编程操作；如果某 个被编程的参考单元的电流符合第二预置条件，则该参考单元调整完毕，将该芯片与测试 机台断开；对未断开的待测试芯片继续执行编程操作，直至所有的待测试芯片都断开。优选的，所述第一预置条件为大于预设的第一电流值；所述第二预置条件为小 于预设的第二电流值。优选的，所述编程操作持续多个脉冲，在每次脉冲操作之后测量被编程的参考单 元的电流；所述编程操作所施加的编程电压小于正常应用情况下的编程电压。优选的，所述对参考单元进行擦除操作的强度大于等于正常应用情况下的擦除操 作强度。依据本专利技术的另一实施例，还公开了一种调整参考单元阈值参数的装置，用在多 个存储器芯片的并行测试过程中，包括以下部件擦除模块，用于对测试机台上的所有待测试芯片的参考单元执行擦除操作；第一测量模块，用于测量各个待测试芯片的参考单元的电流，如果符合第一预置 条件，则通知编程模块进行编程操作，否则，通知擦除模块重新进行擦除操作；编程模块，用于对各个待测试芯片的参考单元进行编程操作；第二测量模块，用于测量被编程的参考单元的电流，如果符合第二预置条件，则该 参考单元调整完毕，将该芯片与测试机台断开；以及，通知编程模块，对未断开的待测试芯 片继续执行编程操作，直至所有的待测试芯片都断开。优选的，所述第一预置条件为大于预设的第一电流值；所述第二预置条件为小 于预设的第二电流值。优选的，所述编程操作持续多个脉冲，在每次脉冲操作之后测量被编程的参考单 元的电流；所述编程操作所施加的编程电压小于正常应用情况下的编程电压。优选的，所述对参考单元进行擦除操作的强度大于等于正常应用情况下的擦除操 作强度。依据本专利技术的另一实施例，还公开了一种测试系统，包括6探针台和测试机台，待测试芯片安装在探针台中，通过探针卡与测试机台相连；测试控制装置，用于向测试机台提供测试指令，由测试机台执行以完成对待测试芯片的测试过程；所述测试控制装置中包括参考单元阈值参数调整单元，该调整单元包 括擦除模块，用于对测试机台上的所有待测试芯片的参考单元执行擦除操作；第一测量模块，用于测量各个待测试芯片的参考单元的电流，如果符合第一预置 条件，则通知编程模块进行编程操作，否则，通知擦除模块重新进行擦除操作；编程模块，用于对各个待测试芯片的参考单元进行编程操作；第二测量模块，用于测量被编程的参考单元的电流，如果符合第二预置条件，则该 参考单元调整完毕，将该芯片与测试机台断开；以及，通知编程模块，对未断开的待测试芯 片继续执行编程操作，直至所有的待测试芯片都断开。优选的，所述编程操作持续多个脉冲，在每次脉冲操作之后测量被编程的参考单 元的电流；所述编程操作所施加的编程电压小于正常应用情况下的编程电压。依据本专利技术的另一实施例，还公开了一种调整参考单元阈值参数的方法，用在多 个一次性可编程存储器芯片的并行测试过程中，包括以下步骤向所有待测试芯片的参考 单元加载一基准电流，进行电击穿操作；测量各个待测试芯片的参考单元的电阻，如果小于 或等于预设目标值，则该参考单元调整完毕，将该待测试芯片与测试机台断开；对未断开的 待测试芯片继续进行电击穿操作；直至所有的待测试芯片都断开。优选的，所述电击穿操作持续多个脉冲，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种调整参考单元阈值参数的方法，其特征在于，用在多个存储器芯片的并行测试过程中，包括以下步骤：对测试机台上的所有待测试芯片的参考单元进行擦除操作；测量各个待测试芯片的参考单元的电流，如果符合第一预置条件，则进入下一步骤，否则，重新进行擦除操作；对各个待测试芯片的参考单元进行编程操作；如果某个被编程的参考单元的电流符合第二预置条件，则该参考单元调整完毕，将该芯片与测试机台断开；对未断开的待测试芯片继续执行编程操作，直至所有的待测试芯片都断开。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡洪，韩飞，
申请(专利权)人：北京芯技佳易微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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