数据读取方法、存储器储存装置及其存储器控制器制造方法及图纸

一种数据读取方法、存储器储存装置及其存储器控制器，其数据读取方法，用于可复写式非挥发性存储器模块。本方法包括将可复写式非挥发性存储器模块的多个实体页面分组为多个实体页面群。本方法也包括使用第一门槛电压组从属于第一实体页面群的第一实体页面中读取第一数据。本方法还包括，当第一数据可藉由错误校正电路来校正并且对应此第一数据的错误位元数非小于错误位元数门槛值时，计算对应的多个补偿电压。本方法还包括使用这些补偿电压调整第一门槛电压组并且使用调整后的第一门槛电压组从属于第一实体页面群的实体页面中读取数据。基此，本方法可正确性读取数据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于可复写式非挥发性存储器的数据读取方法，且特别是涉及一种能够重新调整门槛电压以正确地读取数据的方法及使用此方法的存储器控制器与存储器储存装置。
技术介绍
数字相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对数字内容的储存需求也急速增加。由于闪存(Flash Memory)具有数据非挥发性、省电、体积小与无机械结构等的特性，适合使用者随身携帯作为数字档案传递与交換的储存媒体。固态硬盘(SolidState Drive, SSD)就是以闪存作为储存媒体的ー个例子，并且已广泛使用于电脑主机系统 中作为主硬碟。目前的闪存主要分为两种，分别为反或型闪存(NORFlash)与反及型闪存(NANDFlash)。闪存亦可根据每ー记忆胞可储存的数据位元数而区分为多阶记忆胞(Multi-LevelCell, MLC)闪存及单阶记忆胞(Single-LevelCell，SLC)闪存。SLC闪存的每个记忆胞仅能储存I个位元数据，而MLC闪存的每个记忆胞可储存至少2个以上的位元数据。例如，以4层记忆胞闪存为例，每ー记忆胞可储存2个位元数据(即，11、 10、 00与01)。在闪存中，记忆胞会由位元线(Bit Line)与字元线(Word Line)来串起而形成ー记忆胞阵列(memory cell array)。当控制位元线与字元线的控制电路在读取或写入数据到记忆胞阵列的指定记忆胞时，其他非指定的记忆胞的浮动电压可能会受到干扰(disturb)，进而造成错误位元(S卩，控制电路从记忆胞中所读取的数据(亦称为读取数据)与原先所写入的数据(亦称为写入数据不同)。或者，当闪存亦可能因长期闲置、存储器漏电、或是多次擦除或写入等因素而造成磨耗(Wear)情况时，记忆胞中的浮动电压亦可能改变而造成错误位元。一般来说，存储器储存装置会配置错误校正电路。在写入数据时，错误校正电路会为所写入的数据产生错误校正码，并且在读取数据时，错误校正电路会依据对应的错误校正码来为所读取的数据进行错误校正解码(亦称为错误检查与校正程序)，由此更正错误位元。然而，错误校正电路所能够校正的错误位元数是有限的，一旦所读取的数据的错误位元的个数超过错误校正电路所能校正的错误位元的个数时，所读取的数据将无法被校正。此时，主机系统将无法正确地从存储器储存装置中读取到正确的数据。由于エ艺的演进或存储器本身的硬体架构的特性造成错误位元越来越多(如多阶记忆胞闪存的每ー记忆胞可储存的位元数越多其可能产生的错误位元亦较SLC为多)，因此，如何确保所读取的数据的正确性，成为此领域技术人员所关注的议题。
技术实现思路
本专利技术提供ー种数据读取方法、存储器控制器与存储器储存装置，其能够正确地读取数据。本专利技术范例实施例提出ー种数据读取方法，用于可复写式非挥发性存储器模块，其中此可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体页面。本数据读取方法包括将这些实体页面分组为多个实体页面群并且为这些实体页面群之中的第一实体页面群设定第一门槛电压组，其中此第一门槛电压组具有多个门槛电压。本数据读取方法也包括使用第一门槛电压组从第一实体页面中读取第一数据，其中此第一实体页面属于第一实体页面群。本数据读取方法还包括，当第一数据可藉由错误校正电路来校正而产生已校正数据并且对应此第一数据的错误位元数非小于错误位元数门槛值时，计算对应此第一实体页面群的门槛电压的多个补偿电压。本数据读取方法还包括使用这些补偿电压调整第一门槛电压组的门槛电压并且使用调整后的第一门槛电压组从属于第一实体页面群的实体页面中读取数据。 在本专利技术的一实施例中，上述的数据读取方法还包括根据对应第一实体页面群的擦除次数动态地调整上述错误位元数门槛值。在本专利技术的一实施例中，上述的数据读取方法害包括在计算对应第一实体页面群的门槛电压的补偿电压之后，使用预设调整值调整上述错误位元数门槛值。在本专利技术的一实施例中，上述的计算对应第一实体页面群的门槛电压的补偿电压的步骤包括藉由比对上述第一数据与已校正数据来获得一错误位元信息以及依据此错误位元信息来计算上述补偿电压。在本专利技术的一实施例中，上述的第一实体页面中是第一实体页面群的实体页面之中发生最多错误位元的实体页面。本专利技术范例实施例提出一种存储器控制器，用于控制可复写式非挥发性存储器模块，其中可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体页面。本存储器控制器包括存储器管理电路、主机界面、存储器界面与错误校正电路。存储器管理电路用以将这些实体页面分组为多个实体页面群并且为每ー实体页面群设定ー门槛电压组，其中这些门槛电压组之中的第一门槛电压组对应这些实体页面群之中的第一实体页面群并且第一门槛电压组具有多个门槛电压。主机界面电性连接存储器管理电路。存储器界面电性连接存储器管理电路，并且用以电性连接至可复写式非挥发性存储器模块。错误校正电路电性连接存储器管理电路。补偿电压计算电路电性连接至存储器管理电路。在此，存储器管理电路使用第一门槛电压组从第一实体页面中读取第一数据，其中此第一实体页面属于第一实体页面群。此外，当错误校正电路成功地校正第一数据而产生已校正数据并且对应第一数据的错误位元数非小于错误位元数门槛值时，上述补偿电压计算电路会计算对应第一实体页面群的门槛电压的多个补偿电压。在本专利技术的一实施例中，上述的存储器管理电路使用这些补偿电压调整第一门槛电压组的门槛电压并且使用调整后的第一门槛电压组从属于第一实体页面群的实体页面中读取数据。在本专利技术的一实施例中，上述的存储器管理电路根据对应第一实体页面群的擦除次数动态地调整上述错误位元数门滥值。在本专利技术的一实施例中，在补偿电压计算电路计算对应第一实体页面群的门槛电压的补偿电压之后，上述存储器管理电路使用预设调整值调整上述错误位元数门槛值。在本专利技术的一实施例中，上述的补偿电压计算电路藉由比对上述第一数据与已校正数据来获得错误位元信息并且依据此错误位元信息来计算上述补偿电压。本专利技术范例实施例提出一种存储器储存装置，其包括连接器、可复写式非挥发性存储器模块与存储器控制器。连接器用以电性连接至主机系统。可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体页面。存储器控制器电性连接至连接器与可复写式非挥发性存储器模块并且具有错误校正电路。在此，存储器控制器用以将这些实体页面分组为多个实体页面群并为每一实体页面群设定ー门槛电压组，其中这些门槛电压组之中的第一门槛电压组对应这些实体页面群之中的第一实体页面群并且第一门槛电压组具有多个门槛电压。此外，存储器控制器使用第一门槛电压组从第一实体页面中读取第一数据，其中第一实体页面属于第一实体页面群。再者，当错误校正电路成功地校正第一数据而产生已校正数据并且对应第一数据的错误位元数非小于错误位元数门槛值时，上述存储器控制器计算对应第一实体页面群的门槛电压的多个补偿电压。在本专利技术的一实施例中，上述的存储器控制器使用上述补偿电压调整第一门槛电 压组的门槛电压并且使用调整后的第一门槛电压组从属于第一实体页面群的实体页面中读取数据。在本专利技术的一实施例中，上述的存储器控制器根据对应第一实体页面群的擦除次数动态地调整上述错误位元数门滥值。在本专利技术的一实施例中，上述的存储器控制器在计算对应第一实体页面群的门槛电压的补偿电压之后，使用预设调整值调整上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种数据读取方法，用于一可复写式非挥发性存储器模块，其中该可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体页面，该数据读取方法包括 将所述实体页面分组为多个实体页面群； 为所述实体页面群之中的一第一实体页面群设定ー第一门槛电压组，其中该第一门槛电压组具有多个门槛电压； 使用该第一门槛电压组从一第一实体页面中读取ー第一数据，其中该第一实体页面属于该第一实体页面群； 当该第一数据可藉由ー错误校正电路来校正而产生一已校正数据并且对应该第一数据的ー错误位元数非小于ー错误位元数门槛值时，计算对应该第一实体页面群的所述门槛电压的多个补偿电压； 使用所述补偿电压调整该第一门槛电压组的所述门槛电压；以及 使用调整后的该第一门槛电压组从属于该第一实体页面群的所述实体页面中读取数据。2.根据权利要求I所述的数据读取方法，还包括 根据对应该第一实体页面群的一擦除次数动态地调整该错误位元数门槛值。3.根据权利要求I所述的数据读取方法，还包括 在计算对应该第一实体页面群的所述门槛电压的所述补偿电压之后，使用一预设调整值调整该错误位元数门槛值。4.根据权利要求I所述的数据读取方法，其中计算对应该第一实体页面群的所述门槛电压的所述补偿电压的步骤包括 藉由比对该第一数据与该已校正数据来获得一错误位元信息；以及 依据该错误位元信息来计算所述补偿电压。5.根据权利要求I所述的数据读取方法，其中该第一实体页面中是该第一实体页面群的所述实体页面之中发生最多错误位元的实体页面。6.一种存储器控制器，用于控制一可复写式非挥发性存储器模块，其中该可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体页面，该存储器控制器包括 一存储器管理电路，用以将所述实体页面分组为多个实体页面群并且为每一所述实体页面群设定ー门槛电压组，其中所述门槛电压组之中的一第一门槛电压组对应所述实体页面群之中的一第一实体页面群并且该第一门槛电压组具有多个门槛电压； 一主机界面，电性连接该存储器管理电路； 一存储器界面，电性连接该存储器管理电路，并且用以电性连接至该可复写式非挥发性存储器模块； ー错误校正电路，电性连接该存储器管理电路；以及 一补偿电压计算电路，电性连接至该存储器管理电路， 其中该存储器管理电路使用该第一门槛电压组从一第一实体页面中读取ー第一数据，其中该第一实体页面属于该第一实体页面群， 其中当该错误校正电路成功地校正该第一数据而产生一已校正数据并且对应该第一数据的ー错误位元数非小于ー错误位元数门槛值吋，该补偿电压计算电路会计算对应该第一实体页面群的所述门槛电压的多个补偿电压。7.根据权利要求6所述的存储器控制器，其中该存储器管理电路使用所述补偿电压调整该第一门槛电压组的所述门槛电压并且使用调整后的该第一门槛电压组从属于该第一实体页面群的所述实体页面中读取数据。8.根据权利要求6所述的存储器控制器，其中该存储器管理电路根据对应该第一实体页面群的一擦除次数动态地调整该错误位元数门槛值。9.根据权利要求6所述的存储器控制器，其中在该补偿电压计算电路计算对应该第一实体页面群的所述门槛电压的所述补偿电压之后，该存储器管理电路使用一预设调整值调整该错误位元数门槛值。10.根据权利要求6所述的存储器控制器，其中该补偿电压计算电路藉由比对该第一数据与该已校正数据来获得一错误位元信息并且依据该错误位元信息来计算所述补偿电压。11.根据权利要求6所述的存储器控制器，其中该第一实体页面中是该第一实体页面群的所述实体页面之中发生最多错误位元的实体页面。12.—种存储器储存装置，包括 ー连接器，用以电性连接至一主机系统； 一可复写式非挥发性存储器模块，具有多个实体页面；以及 一存储器控制器，电性连接至该连接器与该可复写式非挥发性存储器模块并且具有一错误校正电路， 其中该存储器控制器用以将所述实体页面分组为多个实体页面群并为每一所述实体页面群设定ー门槛电压组，其中所述门槛电压组之中的一第一门槛电压组对应所述实体页面群之中的一第一实体页面群并且该第一门槛电压组具有多个门槛电压， 其中该存储器控制器使用该第一门槛电压组从一第一实体页面中读取ー第一数据，其中该第一实体页面属于该第一实体页面群， 其中当该错误校正电路成功地校正该第一数据而产生一已校正数据并且对应该第一数据的ー错误位元数非小于ー错误位元数门槛值时，该存储器控制器...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾建富，赖国欣，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：