【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储器管理技术，尤其涉及一种解码参数更新方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。
技术介绍
1、移动电话与笔记本计算机等可携式电子装置在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式电子装置中。
2、随着可复写式非易失性存储器模块的数据存储密度越来越高，可复写式非易失性存储器模块中的存储单元相互间的干扰也越趋严重，导致从可复写式非易失性存储器模块读取的数据也更容易出现错误。一般来说，当所读取的数据的比特错误率(bit errorrate,ber)较高时，存储器控制器可通过软解码模式来尝试提高对数据的解码成功率。但是，若存储器控制器中的解码电路所采用的解码参数不适当，则无论是否进入软解码模式，解码电路都很难成功解码数据。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种解码参数更新方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可提高数据的解码成功率。
2、本专利技术的范例实施例提供一种解码参数更新方法，其用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元，且所述解码参数更新方法包括：发送至少一读取指令序列至所述可复写式非易失性存储器模块，以指示基于多个读取电压电平从所述多个实体单元中的第一实
3、在本专利技术的范例实施例中，所述第一解码参数专用以解码从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的数据，且所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间。
4、在本专利技术的范例实施例中，所述第一数据包括从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的目标数据，所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间，且所述第一错误评估信息反映所述目标数据中的至少一错误比特的总数。
5、在本专利技术的范例实施例中，所述第一数据包括从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的目标数据，所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间，且所述第一错误评估信息反映所述目标数据的比特错误率。
6、在本专利技术的范例实施例中，所述第一数据包括第一数据序列，所述第二数据包括第二数据序列，且根据所述第一数据与所述第二数据获得对应于所述多个电压区间中的所述第一电压区间的所述第一错误评估信息的步骤包括：对所述第一数据序列与所述第二数据序列进行逻辑运算；以及根据所述逻辑运算的结果获得所述第一错误评估信息，其中所述逻辑运算的所述结果反映出至少一错误比特在所述第一数据序列中的位置。
7、在本专利技术的范例实施例中，根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的步骤包括：根据以下方程式计算所述第一解码参数：
8、llr(i)＝ln(ber(i)/(1-ber(i)))
9、其中llr(i)表示所述第一解码参数，ber(i)表示所述第一错误评估信息，且ln()表示自然对数函数。
10、在本专利技术的范例实施例中，根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的步骤包括：根据所述第一错误评估信息更新目标错误评估信息，其中所述目标错误评估信息反映所述第一错误评估信息的变化趋势；以及根据所述目标错误评估信息更新所述第一解码参数。
11、在本专利技术的范例实施例中，根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的步骤包括：根据所述第一错误评估信息与至少一环境参数更新所述第一解码参数，其中所述至少一环境参数包括程序化计数、抹除计数、读取计数及温度值的至少其中之一。
12、在本专利技术的范例实施例中，所述第一电压区间对应多个候选解码参数，且所述解码参数更新方法还包括：根据所述第一解码参数更新所述多个候选解码参数的至少其中之一；根据目标读取电压的偏移信息从所述多个候选解码参数中选择其中之一；以及将所选择的解码参数提供给解码电路。
13、本专利技术的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以：发送至少一读取指令序列至所述可复写式非易失性存储器模块，以指示基于多个读取电压电平从所述多个实体单元中的第一实体单元读取第一数据；在从所述第一实体单元读取所述第一数据后，根据多个解码参数解码所述第一数据，以获得第二数据，其中所述多个解码参数分别对应多个电压区间，且所述多个电压区间是由所述多个读取电压电平所界定；根据所述第一数据与所述第二数据获得对应于所述多个电压区间中的第一电压区间的第一错误评估信息；以及根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的第一解码参数。
14、在本专利技术的范例实施例中，所述第一数据包括第一数据序列，所述第二数据包括第二数据序列，且所述存储器控制电路单元根据所述第一数据与所述第二数据获得对应于所述多个电压区间中的所述第一电压区间的所述第一错误评估信息的操作包括：对所述第一数据序列与所述第二数据序列进行逻辑运算；以及根据所述逻辑运算的结果获得所述第一错误评估信息，其中所述逻辑运算的所述结果反映出至少一错误比特在所述第一数据序列中的位置。
15、在本专利技术的范例实施例中，所述存储器控制电路单元根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的操作包括：根据以下方程式计算所述第一解码参数：
16、llr(i)＝ln(ber(i)/(1-ber(i)))
17、其中llr(i)表示所述第一解码参数，ber(i)表示所述第一错误评估信息，且ln()表示自然对数函数。
18、在本专利技术的范例实施例中，所述存储器控制电路单元根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的操作包括：根据所述第一错误评估信息更新目标错误评估信息，其中所述目标错误评估信息反映所述第一错误评估信息的变化趋势；以及根据所述目标错误评估信息更新所述第一解码参数。
19、在本专利技术的范例实施例中，所述存储器控制电本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种解码参数更新方法，其特征在于，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元，且所述解码参数更新方法包括：
2.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中所述第一解码参数专用以解码从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的数据，且所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间。
3.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中所述第一数据包括从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的目标数据，所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间，且所述第一错误评估信息反映所述目标数据中的至少一错误比特的总数。
4.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中所述第一数据包括从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的目标数据，所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间，且所述第一错误评估信息反映所述目标数据的比特错误率。
5.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中所述第一数据包括第一数据序列，所述第二数据包括第二数据序列，且根据所述第一数据与所述第二数据获得对应于所述多
6.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的步骤包括：
7.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的步骤包括：
8.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的步骤包括：
9.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中所述第一电压区间对应多个候选解码参数，且所述解码参数更新方法还包括：
10.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述第一解码参数专用以解码从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的数据，且所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间。
12.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述第一数据包括从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的目标数据，所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间，且所述第一错误评估信息反映所述目标数据中的至少一错误比特的总数。
13.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述第一数据包括从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的目标数据，所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间，且所述第一错误评估信息反映所述目标数据的比特错误率。
14.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述第一数据包括第一数据序列，所述第二数据包括第二数据序列，且所述存储器控制电路单元根据所述第一数据与所述第二数据获得对应于所述多个电压区间中的所述第一电压区间的所述第一错误评估信息的操作包括：
15.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的操作包括：
16.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的操作包括：
17.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的操作包括：
18.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述第一电压区间对应多个候选解码参数，且所述存储器控制电路单元还用以：
19.一种存储器控制电路单元，其特征在于，用以控制可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元，且所述存储器控制电路单元包括：
20.根据权利要求19所述的存储器控制电路单元，其中所述第一解码参数专用以解码从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的数据，且所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间。
21.根据权利要求19所述的存储器控制电路单元，其中所述第一数据包括从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的目标数据，所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间，且所述第一错误评估信息反映所述目标数据中的至少一错误比特的总数。
22.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种解码参数更新方法，其特征在于，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元，且所述解码参数更新方法包括：
2.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中所述第一解码参数专用以解码从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的数据，且所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间。
3.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中所述第一数据包括从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的目标数据，所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间，且所述第一错误评估信息反映所述目标数据中的至少一错误比特的总数。
4.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中所述第一数据包括从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的目标数据，所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间，且所述第一错误评估信息反映所述目标数据的比特错误率。
5.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中所述第一数据包括第一数据序列，所述第二数据包括第二数据序列，且根据所述第一数据与所述第二数据获得对应于所述多个电压区间中的所述第一电压区间的所述第一错误评估信息的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的步骤包括：
7.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的步骤包括：
8.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中根据所述第一错误评估信息更新所述多个解码参数中对应于所述第一电压区间的所述第一解码参数的步骤包括：
9.根据权利要求1所述的解码参数更新方法，其中所述第一电压区间对应多个候选解码参数，且所述解码参数更新方法还包括：
10.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述第一解码参数专用以解码从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的数据，且所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间。
12.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述第一数据包括从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的目标数据，所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间，且所述第一错误评估信息反映所述目标数据中的至少一错误比特的总数。
13.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述第一数据包括从所述第一实体单元中的多个第一存储单元读取的目标数据，所述多个第一存储单元的临界电压皆位于所述第一电压区间，且所述第一错误评估信息反映所述目标数据的比特错误率。
14.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述第一数据包括第一数据序列，所述第二数据包括第二数据序列，且所述存储器控制电路单元根据所述第一数据与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：林玉祥，曾士家，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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