从非易失性存储器读取数据的方法技术

本公开涉及从非易失性存储器读取数据的方法。能够运行各种不同的读取重试序列的存储器系统，包括具有引导ROM的存储器控制器，该引导ROM上存储有用来执行读取重试序列的代码。非易失性存储器设备(储如NAND闪存)包括读取重试寄存器并从该存储器控制器接收包括读取重试指令的命令指令并作为响应提供读取数据。在NAND闪存外部的第二非易失性存储器具有描述读取重试序列项的读取重试表，该读取重试序列项包括命令、读取重试寄存器地址和用于更新所述读取重试寄存器的读取重试教据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及非易失性存储器系统，以及更具体地说，涉及从非易失性存储器设备读取数据的方法和装置。
技术介绍
非易失性存储器设备包括闪存设备(诸如NAND闪存)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)设备以及电阻性存储器设备。在某些非易失性存储器(诸如闪存)中，随着编程/擦除周期数的增加，可靠性降低。错误校正编码(ECC)电路可被用来校正从闪存设备读取的数据中的错误。当使用ECC电路校正错误很困难或是不可能时，可以执行数据读取重试操作(或序列)。在一个已知的系统中，如果从存储器控制器发送到非易失性存储器设备的读取命令导致读取的数据具有不能被ECC校正的错误，那么发送读取重试命令来指示存储器读取相同的页但使用不同的操作参数，诸如被应用到页的字线的、并从驻留在存储器控制器中的查找表中检索的参考电压的大小。不同的NAND闪存的制造商倾向于为他们各自的产品采用不同的读取重试序列，并且新的序列被不断地引进。引导ROM通常被用来支持读取重试序列但是引导ROM不能被更新，因此引导ROM不能支持新引进的读取重试序列。因此提供一种执行不同读取重试序列的能力是有益的。能够执行不同的读取重试序列而不需要改变引导ROM代码也是有益的。附图说明本专利技术连同其目的和优点，可结合附图参考下面对优选实施例的描述被更好地理解，所述附图中：图1是根据本专利技术的实施例的存储器系统的简化原理框图；以及图2是根据本专利技术的实施例的例示了执行读取重试序列的方法的流程图。具体实施方式下面结合附图给出的详细描述意在作为本专利技术当前的优选实施例的描述，并不意图代表可实现本专利技术的仅有的形式。可以理解的是，相同的或是等同的功能可由意图包含在本专利技术的精神和范围内的不同的实施例实现。在附图中，相似的附图标记自始至终被用来指示相似的元素。此外，术语“包括”、“包含”或其任意的其他变化意图覆盖非排外的包括，使得包括一系列元素或步骤的模块、电路、设备组件、结构以及方法步骤并不仅仅包括那些元素而是可以包括没有专门列出的其他的元素或步骤或对这些模块、电路、设备组件、结构或步骤是固有的元素或步骤。由“包括...一个”开始的元素或步骤在没有更多限制的情况下不排除额外的相同的包括这些元素或步骤的元素或步骤的存在。在一个实施例中，本专利技术提供一种存储器系统，包括存储器控制器以及可操作地耦合到该存储器控制器的第一非易失性存储器(NVM)，该存储器控制器包括引导只读存储器(ROM)，其上存储有用来执行读取重试序列的代码。该第一NVM包括读取重试寄存器。该第一NVM从存储器控制器接收包括读取重试指令的命令指令，并作为响应向其提供读取数据。提供了在第一NVM外部并可操作地耦合到该存储器控制器的第二NVM。第二NVM包括读取重试表，其具有描述读取重试序列项的表头，该读取重试序列项包括命令、地址和数据中的至少一个。在另一个实施例中，本专利技术提供一种用于操作存储器系统中的NVM的方法，该存储器系统包括可操作地耦合到该NVM的存储器控制器，该存储器控制器包括其上存储有用来在NVM中执行读取重试序列的代码的引导ROM。该NVM包括用于从引导ROM接收更新命令的读取重试寄存器。该方法包括由引导ROM从存储在外部NVM中的读取重试表访问读取重试序列，其中该读取重试表包括描述读取重试序列项的报头，该读取重试序列项包括命令、地址和数据中的至少一个。有益地，通过使用在第一NVM(例如，NAND闪存)外部的第二NVM来描述NAND闪存的重置重试序列，并通过在引导ROM中提供读取重试功能模块(function)，大量不同的读取重试序列可被支持，因此当一个新的序列被引进时不需要对引导ROM代码进行更新。现在参考图1，示出根据本专利技术的实施例的存储器系统100的简化原理框
图。该存储器系统100包括存储器控制器101，NAND闪存102以及非易失性存储器(NVM)103。该NAND闪存102和NVM 103均可操作地耦合到存储器控制器101。在一个实施例中，存储器控制器101、NAND闪存102以及NVM103实现在一个集成电路中。该存储器控制器101包括(在其他模块之中)引导ROM 104。该引导ROM104设置有用于支持读取重试序列的读取重试模块105。该存储器控制器101还包括错误校正电路106。NAND闪存102包含NAND页107，并设置有可在读取重试序列中被更新的读取重试寄存器108。在一些实施例中，有多于一个读取重试寄存器。该读取重试寄存器108包含用于在重读NAND存储单元时改变比较电压的读取重试电压电平信息。NVM 103包括用于支持读取重试序列的读取重试表109。该存储器控制器101生成命令并在线110上将该命令应用到NAND闪存102。该命令可包括编程命令、读取命令或擦除命令。通常该命令控制NAND闪存102的编程、读取或擦除操作。该存储器控制器101还生成地址并在线111上将该地址应用到NAND闪存102。地址通常包括多个比特并对应于(例如，要被读取或擦除的)数据在NAND页107中的位置。NAND闪存102以页为单位执行编程和读取操作。每个物理页通常包括多个连接到各自字线的存储单元。已经从NAND页107读取的读取数据在线112上从NAND闪存102发送到存储器控制器101。错误校正电路106检测并校正从NAND闪存102接收的读取数据中的错误。不同的读取重试序列存储(烧制)到NVM 103中，解析和执行读取重试序列的代码位于引导ROM 104中的引导ROM代码中。引导ROM 104中的读取重试模块105在线113上从NVM 103中的读取重试表109中接收读取重试寄存器更新命令以及其他的相关信息，并作为响应被布置成在线114上应用更新命令到NAND闪存102中的读取重试寄存器108。读取重试模块105被布置成支持不同的读取重试序列，因此要适当地解析从读取重试表109接收的重试数据。读取重试表109包括表头和表体。该读取重试表109描述NAND读取重试序列。一个典型的摘要的读取重试序列包括前置条件命令、第一读取重试命令、第二读取重试命令以及退出命令。一些序列可以有前置条件命令，其他一些可
以没有。一些序列可以有更新寄存器命令而其他一些可以没有。在读取重试表109的表头中包括的是涉及更新读取重试寄存器108的“更新寄存器命令”、作为重试寄存器地址的阵列的“重试寄存器地址阵列”以及涉及重试寄存器地址的阵列的大小(长度)的“重试寄存器地址阵列大小”。将要注意的是，在不同的重试序列之间命令不变，在不同的重试电压电平之间寄存器地址不变。表头还包括标识读取重试表109的“标签”。表头还包括“退出偏移(Offset)”。其是当重试成功时退出读取重试序列的偏移(Offset)。读取重试表109的表体包括至少一对报头/项的集合。在这个示例中，报头和项的每一个包括一个字节。报头描述读取重试序列项并标识该项是否是一个命令、地址或数据以及它们哪个分别由指令cmd_exist、addr_exist、data_exist确定。报头的格式如下。3比特的“cmd_type”指令指示重试命令的种类。这样的命令可包括，例如，更新读取重试寄存器108、读取一页以及“结束”。如果1比特的“add本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器系统，所述存储器系统包括：包括引导只读存储器ROM的存储器控制器，所述引导只读存储器上存储有用来执行读取重试序列的代码；可操作地耦合到所述存储器控制器的第一非易失性存储器，所述第一非易失性存储器包括用于从所述存储器控制器接收包括读取重试指令的命令指令并作为响应提供读取数据的读取重试寄存器；以及第二非易失性存储器，所述第二非易失性存储器在所述第一非易失性存储器外部、可操作地耦合到所述存储器控制器，其中所述第二非易失性存储器包括读取重试表，所述读取重试表具有描述读取重试序列项的报头，所述读取重试序列项包括命令、地址和数据中的至少一项。

【技术特征摘要】
1.一种存储器系统，所述存储器系统包括：包括引导只读存储器ROM的存储器控制器，所述引导只读存储器上存储有用来执行读取重试序列的代码；可操作地耦合到所述存储器控制器的第一非易失性存储器，所述第一非易失性存储器包括用于从所述存储器控制器接收包括读取重试指令的命令指令并作为响应提供读取数据的读取重试寄存器；以及第二非易失性存储器，所述第二非易失性存储器在所述第一非易失性存储器外部、可操作地耦合到所述存储器控制器，其中所述第二非易失性存储器包括读取重试表，所述读取重试表具有描述读取重试序列项的报头，所述读取重试序列项包括命令、地址和数据中的至少一项。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述引导ROM被布置成访问来自所述读取重试表的读取序列项并发送更新命令到所述读取重试寄存器。3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述读取重试表包括表头和表体，其中所述表体包括至少一组报头/项对，并且其中所述表头包括以下中的至少一个：标识所述读取重试表的标签、所述读取重试寄存器的地址、命令和退出偏移。4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中所述引导ROM被布置成访问所述命令和所述重试寄存器的所述地址中的至少一个，并发送更新命令到所述读取重试寄存器。5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述命令包括更新命令、读取页命令和结束命令中的至少一个。6.根据权利要求1所述的存储器系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢杨易，樊崇斌，唐志鹏，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US