本发明专利技术公开了一种非易失性存储器的数据读取装置及方法。该装置包括：读取比较器，用于根据接收到的读取请求，将存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较，并输出读取结果；校验比较器，用于将存储单元的单元电压与校验参考电压进行比较，并输出校验结果；其中，所述校验参考电压大于所述读取参考电压；偏移地址记录单元，用于根据读取结果和校验结果，在确定单元电压低于设定门限值时，确定存储单元为偏移存储单元，则记录偏移存储单元的偏移单元地址；读取纠正单元，用于如果接收到的读取请求命中偏移单元地址时，确定对偏移存储单元的读取结果为设定值，并抑制读取比较器的输出。本发明专利技术可减少非易失性存储器读操作中的误读，提高可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种非易失性存储器的数据读取装置及方法。
技术介绍
随着电子设备的不断普及，人们对于高密度和低功耗的非易失性存储器的需求与日俱增。可靠性是评价存储器的一个重要指标。可靠性是指产品在规定条件下和规定时间内完成规定的功能。数据保持力是评价非易失性存储器可靠性的重要参数。数据保持力是指非易失性存储器存储的数据经过一段时间后没有失真或丢失，仍可有效读出的能力。目前，提高非易失性存储器数据保持力的方法是在非易失性存储器进行擦除操作过程中加入恢复操作，进而提高数据的可靠性。但是用户对非易失性存储器进行一次的擦除操作和编程操作后，仅对非易失性存储器进行读操作。对存储单元而言，浮栅中存储的电荷量决定了存储单元的阈值电压，而存储单元的阈值电压则决定了存储单元是存储数据“0”，还是存储数据“1”。由于存储单元内部自身缺陷及外部影响，会造成浮栅中存储的电荷流失，从而引起存储单元阈值电压的降低，随着时间的推移，当阈值电压降压到一定值后，存储单元中的存储的数据会发生变化，当用户下次再对该存储单元进行读操作时，会造成误读，导致非易失性存储器的可靠性降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种非易失性存储器的数据读取装置及方法，以减少非易失性存储器读操作过程中的误读，提高非易失性存储器数据的可靠性。第一方面，本专利技术实施例提供了一种非易失性存储器的数据读取装置，该装置包括：读取比较器，所述读取比较器的输入端与读取参考电压和存储单元的输出端相连，用于根据接收到的读取请求，将所述存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较，并输出读取结果；校验比较器，所述校验比较器的输入端与校验参考电压和存储单元的输出端相连，用于将所述存储单元的单元电压与校验参考电压进行比较，并输出校验结果；其中，所述校验参考电压大于所述读取参考电压；偏移地址记录单元，与所述读取比较器和所述校验比较器相连，用于根据读取结果和校验结果，在确定单元电压低于设定门限值时，确定所述存储单元为偏移存储单元，则记录所述偏移存储单元的偏移单元地址；读取纠正单元，与所述偏移地址记录单元相连，用于如果接收到的读取请求命中所述偏移单元地址时，确定对所述偏移存储单元的读取结果为设定值，并抑制所述读取比较器的输出。在上述方案中，可选的是，如果所述单元电压小于校验参考电压，且大于读取参考电压，则确定所述存储单元为偏移存储单元；如果所述单元电压小于校验参考电压和读取参考电压，则确定所述存储单元为擦除存储单元；如果所述单元电压大于校验参考电压和读取参考电压，则确定所述存储单
元为编程存储单元。在上述方案中，可选的是，所述设定值为“0”。在上述方案中，可选的是，读取比较器的输入端分别与存储单元的漏极和读取参考存储单元的漏极相连，校验比较器的输入端分别与存储单元的漏极和校验参考存储单元的漏极相连，其中，存储单元的漏极与第一电阻相连，第一电阻的另一端与电源相连，存储单元的源极接地；读取参考单元的漏极与第二电阻相连，第二电阻的另一端与电源相连，读取参考单元的源极接地；校验参考单元的漏极与第三电阻相连，第三电阻的另一端与电源相连，校验参考单元的源极接地。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种非易失性存储器的数据读取方法，采用本专利技术第一方面提供的非易失性存储器的数据读取装置来执行，该方法包括：根据接收到的读取请求，读取存储单元的单元电压；通过读取比较器将所述单元电压与读取参考电压进行比较，以输出读取结果；通过校验比较器将所述单元电压与校验参考电压进行比较，以输出校验结果；如果根据读取结果和校验结果，在确定单元电压低于设定门限值时，确定存储单元为偏移存储单元，则通过偏移地址记录单元记录所述偏移存储单元的偏移单元地址；如果接收到的读取请求命中所述偏移单元地址时，通过读取纠正单元确定对所述偏移存储单元的读取结果为设定值。在上述方案中，可选的是，如果所述单元电压小于校验参考电压，且大于读取参考电压，则确定所述存储单元为偏移存储单元；如果所述单元电压小于校验参考电压和读取参考电压，则确定所述存储单元为擦除存储单元；如果所述单元电压小于校验参考电压和读取参考电压，则确定所述存储单元为编程存储单元。在上述方案中，可选的是，所述设定值为“0”。在上述方案中，可选的是，接收到的读取请求具体为：存储单元的栅极、读取参考存储单元的栅极及校验存储单元的栅极施加读电压。在上述方案中，可选的是，读电压大小为5V-7V；本专利技术实施例通过在存储单元读取数据过程中，根据读取结果和校验结果，在确定单元电压低于设定门限值时，确定并记录偏移存储单元，在下次读取该存储单元时，将该存储单元的读取结果确定并输出为设定值，从而减少非易失性存储器读操作过程中的误读，提高非易失性存储器数据的可靠性。附图说明图1为本专利技术实施例一中的一种非易失性存储器的数据读取装置的结构示意图；图2是本专利技术实施例三中的一种非易失性存储器的数据读取装置的读取比较器和校验比较器的结构示意图；图3是本专利技术实施例四中的一种非易失性存储器的数据读取方法的流程示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的一种非易失性存储器的数据读取装置的结构示意图，本实施例可适用于存储器读取数据的情况，如图1所示，本专利技术实施例提供的一种非易失性存储器的数据读取装置，包括读取比较器110、校验比较器120、偏移地址记录单元130和读取纠正单元140。其中，读取比较器110的输入端与读取参考电压和存储单元的输出端相连，用于根据接收到的读取请求，将存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较，并输出读取结果。在非易失性存储器读取操作过程中，若存储单元为经过擦除操作的擦除存储单元，其漏极电流较大，若存储单元为经过编程操作的编程存储单元，其漏极电流较小，通过将存储单元的漏极电流与参考电流的比较可得到存储单元的存储数据。存储单元的漏极电流与参考电流的比较可通过电路转换为电压的比较，从而通过电压比较器得到存储单元的存储数据。示例性的，读取比较器可为反相电压比较器，电压比较器的同相端接入存
储单元的输出端，电压比较器的反相端接入读取参考电压，当存储单元的单元电压大于读取参考电压时，读取结果为“0”，说明该存储单元经过编程操作，存储数据为“0”；当存储单元的单元电压小于参考电压时，读取结果为“1”，说明该存储单元经过擦除操作，存储数据为“1”。校验比较器120的输入端与校验参考电压和存储单元的输出端相连，用于将存储单元的单元电压与校验参考电压进行比较，并输出校验结果；其中，校验参考电压大于所述读取参考电压；示例性的，校验比较器可为反相电压比较器，电压比较器的同相端接入存储单元的输出端，电压比较器的反相端接入校验参考电压，当存储单元的单元电压大于校验参考电压时，校验结果为“0”；当存储单元的单元电压小于校验参考电压时，校验结果为“1”。偏移地址记录单元130，与读取比较器和校验比较器相连，用于根据读取结果和校验结果，在确定单元电压低于设定门限值时，确定存储单元为偏移存储单元本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种非易失性存储器的数据读取装置，其特征在于，包括：读取比较器，所述读取比较器的输入端与读取参考电压和存储单元的输出端相连，用于根据接收到的读取请求，将所述存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较，并输出读取结果；校验比较器，所述校验比较器的输入端与校验参考电压和存储单元的输出端相连，用于将所述存储单元的单元电压与校验参考电压进行比较，并输出校验结果；其中，所述校验参考电压大于所述读取参考电压；偏移地址记录单元，与所述读取比较器和所述校验比较器相连，用于根据读取结果和校验结果，在确定单元电压低于设定门限值时，确定所述存储单元为偏移存储单元，则记录所述偏移存储单元的偏移单元地址；读取纠正单元，与所述偏移地址记录单元相连，用于如果接收到的读取请求命中所述偏移单元地址时，确定对所述偏移存储单元的读取结果为设定值，并抑制所述读取比较器的输出。
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的数据读取装置，其特征在于，包括：读取比较器，所述读取比较器的输入端与读取参考电压和存储单元的输出端相连，用于根据接收到的读取请求，将所述存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较，并输出读取结果；校验比较器，所述校验比较器的输入端与校验参考电压和存储单元的输出端相连，用于将所述存储单元的单元电压与校验参考电压进行比较，并输出校验结果；其中，所述校验参考电压大于所述读取参考电压；偏移地址记录单元，与所述读取比较器和所述校验比较器相连，用于根据读取结果和校验结果，在确定单元电压低于设定门限值时，确定所述存储单元为偏移存储单元，则记录所述偏移存储单元的偏移单元地址；读取纠正单元，与所述偏移地址记录单元相连，用于如果接收到的读取请求命中所述偏移单元地址时，确定对所述偏移存储单元的读取结果为设定值，并抑制所述读取比较器的输出。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述偏移地址记录单元具体用于：如果所述单元电压小于校验参考电压，且大于读取参考电压，则确定所述存储单元为偏移存储单元；如果所述单元电压小于校验参考电压和读取参考电压，则确定所述存储单元为擦除存储单元；如果所述单元电压大于校验参考电压和读取参考电压，则确定所述存储单元为编程存储单元。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述设定值为“0”。4.根据权利要求1-3任一所述的装置，其特征在于，所述读取比较器的输入端分别与存储单元的漏极和读取参考存储单元的漏极相连，所述校验比较器的输入端分别与存储单元的漏极和校验参考存储单元的漏极相连，其中，存储单元的漏极与第一电阻相连，第一电阻的另一端与电源相连，存储单元的源...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛子恒，刘奎伟，潘荣华，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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